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Nexperia PBSS8510PA,115
| Fabricante | |
| Cód. da peça | PBSS8510PA,115 |
| Nº LCSC | C552005 |
| Emb. | SOT-1061 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | TRANS NPN 100V 5.2A SOT-1061 |
| Folha de Dados | Nexperia PBSS8510PA,115 |
| Conformidade RoHS | 1 documentos disponíveis |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | Nexperia | |
| Emb. | SOT-1061 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | 150MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 285 | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Current - Collector(Ic) | 5.2A | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | Nexperia | |
| Emb. | SOT-1061 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | 150MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 285 | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Current - Collector(Ic) | 5.2A | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV |
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| 5+ | $ 0.6765 | $ 3.38 |
| 50+ | $ 0.6022 | $ 30.11 |
| 150+ | $ 0.5703 | $ 85.55 |
| 500+ | $ 0.5305 | $ 265.25 |
| 3,000+ | $ 0.5128 | $ 1538.40 |
| 6,000+ | $ 0.5022 | $ 3013.20 |
Encapsulamento Padrão3000/Full Reel | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | Nexperia | |
| Emb. | SOT-1061 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | 150MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 285 | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Current - Collector(Ic) | 5.2A | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | Nexperia | |
| Emb. | SOT-1061 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | 150MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 285 | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Current - Collector(Ic) | 5.2A | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV |
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C552005 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |