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MICROCHIP 2N4449U/TR
| Fabricante | |
| Cód. da peça | 2N4449U/TR |
| Nº LCSC | C5487645 |
| Emb. | SMD-6P |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | 15V 40 NPN SMD-6P Single Bipolar Transistors |
| Folha de Dados | MICROCHIP 2N4449U/TR |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | MICROCHIP | |
| Emb. | SMD-6P | |
| Current - Collector Cutoff | 400nA | |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃ | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 15V | |
| DC Current Gain | 40 | |
| Pd - Power Dissipation | 600mW | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 450mV |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | MICROCHIP | |
| Emb. | SMD-6P | |
| Current - Collector Cutoff | 400nA | |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃ |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 15V | |
| DC Current Gain | 40 | |
| Pd - Power Dissipation | 600mW | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 450mV |
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Recursos
Tradução por IA
- Linear derating 3.08mW/°C above TA = +37.5°C
- Linear derating 2.86mW/°C above TC = +63.5°C
- Linear derating 6.85mW/°C above TC = +25°C
- Linear derating 3.44mW/°C above TA = +63.5°C
- Linear derating 8.55mW/°C above TC = +63.5°C
- Linear derating 8.00mW/°C above TC = +63.5°C
- Pulse test: pulse width = 300μs, duty cycle ≤ 2.0%
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|---|---|---|
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| 500+ | $ 30.7242 | $ 15362.10 |
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | MICROCHIP | |
| Emb. | SMD-6P | |
| Current - Collector Cutoff | 400nA | |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃ | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 15V | |
| DC Current Gain | 40 | |
| Pd - Power Dissipation | 600mW | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 450mV |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | MICROCHIP | |
| Emb. | SMD-6P | |
| Current - Collector Cutoff | 400nA | |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃ |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 15V | |
| DC Current Gain | 40 | |
| Pd - Power Dissipation | 600mW | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 450mV |
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Recursos
Tradução por IA
- Linear derating 3.08mW/°C above TA = +37.5°C
- Linear derating 2.86mW/°C above TC = +63.5°C
- Linear derating 6.85mW/°C above TC = +25°C
- Linear derating 3.44mW/°C above TA = +63.5°C
- Linear derating 8.55mW/°C above TC = +63.5°C
- Linear derating 8.00mW/°C above TC = +63.5°C
- Pulse test: pulse width = 300μs, duty cycle ≤ 2.0%
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |