YONGYUTAI MMDT5551
| Fabricante | YONGYUTAIAsian Brands |
| Cód. da peça | MMDT5551 |
| Nº LCSC | C6562213 |
| Emb. | SOT-363 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | TRANS NPN 160V 200mA SOT-363 |
| Folha de Dados | YONGYUTAI MMDT5551 |
| Conformidade RoHS | 1 documentos disponíveis |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | YONGYUTAI | |
| Emb. | SOT-363 | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Operating Temperature | - | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 160V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 200mA | |
| Configuration | Standalone | |
| Number | 2 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 150mV |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | YONGYUTAI | |
| Emb. | SOT-363 | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Operating Temperature | - | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 160V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| DC Current Gain | 300 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 200mA | |
| Configuration | Standalone | |
| Number | 2 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 150mV |
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Mínimo: 20Múltiplo: 20Unidade de venda: Piece
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| Qtd. | Preço unit. | Valor total |
|---|---|---|
| 20+ | $ 0.0304 | $ 0.61 |
| 200+ | $ 0.0237 | $ 4.74 |
| 600+ | $ 0.02 | $ 12.00 |
| 3,000+ | $ 0.0178 | $ 53.40 |
| 9,000+ | $ 0.0159 | $ 143.10 |
| 21,000+ | $ 0.0149 | $ 312.90 |
Encapsulamento Padrão3000/Full Reel | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | YONGYUTAI | |
| Emb. | SOT-363 | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Operating Temperature | - | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 160V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 200mA | |
| Configuration | Standalone | |
| Number | 2 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 150mV |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Fabricante | YONGYUTAI | |
| Emb. | SOT-363 | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Operating Temperature | - | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 160V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| DC Current Gain | 300 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 200mA | |
| Configuration | Standalone | |
| Number | 2 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 150mV |
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C6562213 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |



