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VISHAY SIRC04DP-T1-GE3 product image
Imágenes ilustrativas

VISHAY SIRC04DP-T1-GE3

Fabricante
N.º de pieza fab.
SIRC04DP-T1-GE3
Nº LCSC
C3289488
Emb.
PowerPAK-SO-8
Número de Cliente
Atrib. clave
N-Channel, Current:60A, Voltage:30V
Hoja de DatosVISHAY SIRC04DP-T1-GE3
Cumplimiento RoHS1 documentos disponibles
Piezas alternativas10
Agotado
Avisarme
Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidad de venta: Piece
Añadir a la Lista BOM
Cant.Prec. unit.(Solo como referencia)Importo total
1+$ 1.0261$ 1.03
200+$ 0.3972$ 79.44
500+$ 0.3842$ 192.10
1,000+$ 0.3777$ 377.70
Encapsulado Estándar3000/Full Reel
¿Mejor precio por mayor cantidad?
$

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteVISHAY
Emb.PowerPAK-SO-8
Output Capacitance(Coss)1.05nF
Pd - Power Dissipation50W
Configuration-
Drain to Source Voltage30V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)60A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.1V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)74pF
RDS(on)3.5mΩ@4.5V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)2.85nF
Gate Charge(Qg)56nC@10V
Vgs-
TypeN-Channel

Características

Traducción por IA
  • TrenchFET 4th Generation Power MOSFET
  • SkyFET with Integrated Schottky Diode
  • 100% Rg and UIS Tested

Aplicaciones

Traducción por IA
  • Synchronous buck
  • Synchronous rectification
  • DC/DC conversion

Piezas alternativas

MPNFabricanteEmpaqueDisponibilidadPrecio unitario
MSH40N032BruckewellPDFN5x6-88$ 1.0981
BSC032N04LSInfineonTDSON-8(5x6)1,501$ 1.1767
HSBA4072CHUASHUOPRPAK-8(5x6)180$ 0.4841
ASDM30N120Q-RASDsemiDFN5x6-85,015$ 0.3671
BSC0902NSInfineonTDSON-8(5x6)65$ 0.6146
SQJ142ELP-T1_GE3VISHAYPowerPAK-SO-835$ 2.6141
BSC050N03LSGInfineonTDSON-8(5x6)1,378$ 0.4704
DON120N06DOINGTERDFN5x6-84,437$ 0.4066
AON6358AOSDFN5x6-8482$ 0.4985
FKBA4094FETekPDFN-8(5x6)6$ 0.5009