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Modelli EDAEasyEDA
onsemi FDMA86551L
| Produttore | |
| Cod. Prod. | FDMA86551L |
| Cod. LCSC | C890909 |
| Imballo | VDFN-6(2x2) |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 2.4W 60V 7.5A 3V 23mΩ@10V 1 N-channel N-Channel VDFN-6(2x2) Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | onsemi FDMA86551L |
| Conformità RoHS | 4 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | VDFN-6(2x2) | |
| Output Capacitance(Coss) | 182pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2.4W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.5A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 6.1pF | |
| RDS(on) | 23mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.235nF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | VDFN-6(2x2) | |
| Output Capacitance(Coss) | 182pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2.4W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.5A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 6.1pF | |
| RDS(on) | 23mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.235nF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This device is designed to deliver maximum efficiency and thermal performance for synchronous buck converters. The low on-resistance rDS(on) and gate charge enable excellent switching performance.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Maximum r DS(on) = 23 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7.5 A
- Maximum r DS(on) = 35 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 6 A
- Ultra-thin profile — new 2x2 mm MicroFET package with maximum thickness of 0.8 mm
- Halogen-free and antimony oxide-free
- RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-DC Buck Converter
Disponibile: 3
3 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.1545 | $ 1.15 |
| 10+ | $ 0.9544 | $ 9.54 |
| 30+ | $ 0.8446 | $ 25.34 |
| 100+ | $ 0.7199 | $ 71.99 |
| 500+ | $ 0.615 | $ 307.50 |
| 1,000+ | $ 0.5904 | $ 590.40 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | VDFN-6(2x2) | |
| Output Capacitance(Coss) | 182pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2.4W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.5A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 6.1pF | |
| RDS(on) | 23mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.235nF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | VDFN-6(2x2) | |
| Output Capacitance(Coss) | 182pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2.4W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.5A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 6.1pF | |
| RDS(on) | 23mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.235nF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This device is designed to deliver maximum efficiency and thermal performance for synchronous buck converters. The low on-resistance rDS(on) and gate charge enable excellent switching performance.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Maximum r DS(on) = 23 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7.5 A
- Maximum r DS(on) = 35 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 6 A
- Ultra-thin profile — new 2x2 mm MicroFET package with maximum thickness of 0.8 mm
- Halogen-free and antimony oxide-free
- RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-DC Buck Converter
C890909 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| HSCB6014 | HUASHUO | DFN-6L(2x2) | 720 | $ 0.177 | ||
| SP60N30NQ | Siliup | PDFN-6L(2x2) | 45 | $ 0.0979 | ||
| DMTH6016LFDFWQ-7R | DIODES | UDFN2020-6 | 3 | $ 1.0618 | ||
| PMPB85ENEAX-VB | VBsemi Elec | DFN-6(2x2) | 10 | $0.3611 $0.3801 | ||
| BUK6D77-60EX-VB | VBsemi Elec | DFN-6(2x2) | 5 | $0.3577 $0.3765 | ||
| DMT6016LFDF-7 | DIODES | UDFN2020-6 | 0 | $ 2.4044 | ||
| DMTH6016LFDFWQ-7 | DIODES | UDFN2020-6 | 0 | $ 0.9968 | ||
| DMTH6016LFDFW-13 | DIODES | UDFN2020-6 | 0 | $ 0.6228 | ||
| DMTH6016LFDFW-7 | DIODES | UDFN2020-6 | 0 | $ 0.6228 | ||
| BUK7D36-60EX-VB | VBsemi Elec | DFN-6(2x2) | 0 | $0.4080 $0.4294 |