NTE Electronics 2N3714
| Produttore | |
| Cod. Prod. | 2N3714 |
| Cod. LCSC | C7175461 |
| Imballo | TO-3 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 80V 25 10A NPN TO-3 Single Bipolar Transistors RoHS |
| Scheda Tecnica | NTE Electronics 2N3714 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | NTE Electronics | |
| Imballo | TO-3 | |
| Current - Collector Cutoff | 1mA | |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃ | |
| Transition frequency(fT) | 4MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| DC Current Gain | 25 | |
| Current - Collector(Ic) | 10A | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | NTE Electronics | |
| Imballo | TO-3 | |
| Current - Collector Cutoff | 1mA | |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃ | |
| Transition frequency(fT) | 4MHz |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| DC Current Gain | 25 | |
| Current - Collector(Ic) | 10A | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1V |
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Descrizione
Traduzione AI
2N3714 is a silicon NPN transistor in a TO-3 package, designed for medium-speed switching and amplifier applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Gain range specified at 1A and 3A
- Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.5V (typical) at IC = 5A, IB = 500mA
- Excellent safe operating area
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 3.9446 | $ 3.94 |
| 200+ | $ 1.5746 | $ 314.92 |
| 500+ | $ 1.5215 | $ 760.75 |
| 1,000+ | $ 1.4958 | $ 1495.80 |
Package Standard1/Full Bag | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | NTE Electronics | |
| Imballo | TO-3 | |
| Current - Collector Cutoff | 1mA | |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃ | |
| Transition frequency(fT) | 4MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| DC Current Gain | 25 | |
| Current - Collector(Ic) | 10A | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | NTE Electronics | |
| Imballo | TO-3 | |
| Current - Collector Cutoff | 1mA | |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃ | |
| Transition frequency(fT) | 4MHz |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| DC Current Gain | 25 | |
| Current - Collector(Ic) | 10A | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1V |
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Descrizione
Traduzione AI
2N3714 is a silicon NPN transistor in a TO-3 package, designed for medium-speed switching and amplifier applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Gain range specified at 1A and 3A
- Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.5V (typical) at IC = 5A, IB = 500mA
- Excellent safe operating area
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |

