LGE MMBTA42
| Produttore | LGEAsian Brands |
| Cod. Prod. | MMBTA42 |
| Cod. LCSC | C713680 |
| Imballo | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | TRANS NPN 300V 300mA SOT-23 |
| Scheda Tecnica | LGE MMBTA42 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | LGE | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | 50MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 300V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 25 | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Current - Collector(Ic) | 300mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | LGE | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | 50MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 300V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 25 | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Current - Collector(Ic) | 300mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Epitaxial planar die construction.
- Complementary PNP type available (MMBTA92).
- Ideal for medium power amplification and switching.
Applicazioni
Traduzione AI
- NPN High voltage amplifier.
Disponibile: 1,720
1,720 Pronta consegna
Minimo: 20Multiplo: 20Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 20+ | $ 0.0336 | $ 0.67 |
| 200+ | $ 0.0269 | $ 5.38 |
| 600+ | $ 0.0231 | $ 13.86 |
| 3,000+ | $ 0.0191 | $ 57.30 |
| 9,000+ | $ 0.0172 | $ 154.80 |
| 21,000+ | $ 0.0162 | $ 340.20 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | LGE | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | 50MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 300V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 25 | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Current - Collector(Ic) | 300mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | LGE | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Transition frequency(fT) | 50MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 300V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| DC Current Gain | 25 | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Current - Collector(Ic) | 300mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Epitaxial planar die construction.
- Complementary PNP type available (MMBTA92).
- Ideal for medium power amplification and switching.
Applicazioni
Traduzione AI
- NPN High voltage amplifier.
C713680 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |



