ROHM R6004RND3TL1
| Producent | |
| Nr części prod. | R6004RND3TL1 |
| Nr LCSC | C20109030 |
| Opak. | TO-252 |
| Numer Klienta | |
| Klucz. cechy | 600V 4A 7V 60W 1.73Ω@15V TO-252 Single FETs, MOSFETs |
| Karta Katalogowa | ROHM R6004RND3TL1 |
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | ROHM | |
| Opak. | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 7V | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| RDS(on) | 1.73Ω@15V | |
| Gate Charge(Qg) | 10.5nC@15V |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | ROHM | |
| Opak. | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 7V | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| RDS(on) | 1.73Ω@15V | |
| Gate Charge(Qg) | 10.5nC@15V |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
Funkcje
Tłumaczenie AI
- Fast reverse recovery time (trr)
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Simplified drive circuit
- Lead-free plating; RoHS compliant
Zastosowania
Tłumaczenie AI
- Switching applications
Brak w magazynie
Powiadom mnie
Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
| Szt. | Cena jedn.(Tylko do wglądu) | Suma całkowita |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.4899 | $ 0.49 |
| 200+ | $ 0.196 | $ 39.20 |
| 500+ | $ 0.1897 | $ 94.85 |
| 1,000+ | $ 0.1865 | $ 186.50 |
Standardowa Obudowa2500/Full Reel | ||
Lepsza cena za większą ilość?
$
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | ROHM | |
| Opak. | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 7V | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| RDS(on) | 1.73Ω@15V | |
| Gate Charge(Qg) | 10.5nC@15V |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | ROHM | |
| Opak. | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 7V | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| RDS(on) | 1.73Ω@15V | |
| Gate Charge(Qg) | 10.5nC@15V |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
Funkcje
Tłumaczenie AI
- Fast reverse recovery time (trr)
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Simplified drive circuit
- Lead-free plating; RoHS compliant
Zastosowania
Tłumaczenie AI
- Switching applications
C20109030 Biblioteka EasyEDA
Zgodność & Kody Eksportowe
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |

