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onsemi EFC4C012NLTDG

Hersteller
onsemi
Herst.-Teilenr.
EFC4C012NLTDG
LCSC-Nr.
C895363
Verp.
WLCSP-6(1.9x3.5)
Kundennummer
Hauptmerkm.
MOSFET N-CH ARR 30V 19A WLCSP-6(1.9x3.5)
Datenblattonsemi EFC4C012NLTDG
RoHS-Konformität3 Dokumente verfügbar
Vorrätig: 1
1 Ab Lager, sofort versandfertig
Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-PreisGesamtbetrag
1+$ 3.0493$ 3.05
10+$ 2.6067$ 26.07
30+$ 2.3295$ 69.89
100+$ 2.0444$ 204.44
500+$ 1.9168$ 958.40
1,000+$ 1.8617$ 1861.70
Standardgehäuse5000/Full Reel
Besserer Preis bei größerer Menge?
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Herstelleronsemi
Verp.WLCSP-6(1.9x3.5)
Drain to Source Voltage30V
Operating Temperature-55℃~+150℃
ConfigurationCommon Drain
Current - Continuous Drain(Id)19A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.2V
Pd - Power Dissipation2.5W
RDS(on)6.5mΩ@10V
Number2 N-Channel
Gate Charge(Qg)18nC@4.5V
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Beschreibung

KI-Übersetzung

This N−Channel Power MOSFET is produced using trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and ultra low on resistance. This device is suitable for applications of Notebook PC.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Ultra Low On−Resistance
  • Low Gate Charge
  • Common−Drain type
  • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • 3−Cells Lithium−ion Battery Charging and Discharging Switch