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DIODES DMN6017SK3-13
| Produttore | |
| Cod. Prod. | DMN6017SK3-13 |
| Cod. LCSC | C7172022 |
| Imballo | TO-252(DPAK) |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 60V 43A TO-252(DPAK) |
| Scheda Tecnica | DIODES DMN6017SK3-13 |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | TO-252(DPAK) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 152pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 43A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 126pF | |
| RDS(on) | 18mΩ@10V;20mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.711nF | |
| Gate Charge(Qg) | 26nC@4.5V;55nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | TO-252(DPAK) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 152pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 43A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 126pF | |
| RDS(on) | 18mΩ@10V;20mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.711nF | |
| Gate Charge(Qg) | 26nC@4.5V;55nC@10V |
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Descrizione
Traduzione AI
This next-generation MOSFET is designed to minimize on-resistance RDS(ON) while maintaining excellent switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Lead-free plating; RoHS compliant
- Halogen- and antimony-free; "Green" device
- AEC-Q101 qualified for high reliability
Applicazioni
Traduzione AI
- Power Management - DC-DC Converters - Industrial Applications
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.4956 | $ 0.50 |
| 10+ | $ 0.4874 | $ 4.87 |
| 30+ | $ 0.4809 | $ 14.43 |
| 100+ | $ 0.4761 | $ 47.61 |
Package Standard2500/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | TO-252(DPAK) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 152pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 43A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 126pF | |
| RDS(on) | 18mΩ@10V;20mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.711nF | |
| Gate Charge(Qg) | 26nC@4.5V;55nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | TO-252(DPAK) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 152pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 43A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 126pF | |
| RDS(on) | 18mΩ@10V;20mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.711nF | |
| Gate Charge(Qg) | 26nC@4.5V;55nC@10V |
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Descrizione
Traduzione AI
This next-generation MOSFET is designed to minimize on-resistance RDS(ON) while maintaining excellent switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Lead-free plating; RoHS compliant
- Halogen- and antimony-free; "Green" device
- AEC-Q101 qualified for high reliability
Applicazioni
Traduzione AI
- Power Management - DC-DC Converters - Industrial Applications
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 50N06 | TECH PUBLIC | TO-252 | 3,080 | $0.1389 $0.1543 | ||
| WTM50N06VD | WPMtek | TO-252 | 95 | $ 0.1324 | ||
| 50N06 | HANGYU MICROELECTRONICS | TO-252 | 2,180 | $ 0.0602 | ||
| SP60N15HTH | Siliup | TO-252 | 1,275 | $0.0677 $0.0966 | ||
| SE6050B | SINO-IC | TO-252 | 475 | $ 0.2456 | ||
| 50N06 | HL | TO-252 | 237,490 | $ 0.1112 | ||
| CMD50N06K | Cmos | TO-252 | 75 | $0.2296 $0.2416 | ||
| AOD442-HXY | HXY MOSFET | TO-252-2L | 3,040 | $0.1518 $0.1632 | ||
| HSU50N06 | HUASHUO | TO-252-2 | 0 | $ 0.1518 | ||
| WSF50N06 | Winsok Semicon | TO-252-2L | 0 | $ 0.1233 |