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MICROCHIP JANSD2N3439L product image
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MICROCHIP JANSD2N3439L

Produttore
MICROCHIP
Cod. Prod.
JANSD2N3439L
Cod. LCSC
C6884127
Imballo
TO-5AA
Numero Cliente
Attr. chiave
350V 40 1A NPN TO-5AA Single Bipolar Transistors
Scheda TecnicaMICROCHIP JANSD2N3439L
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 817.5006$ 817.50
200+$ 326.1886$ 65237.72
500+$ 315.289$ 157644.50
1,000+$ 309.9029$ 309902.90
Package Standard50/Full Bag
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
ProduttoreMICROCHIP
ImballoTO-5AA
Operating Temperature-55℃~+200℃
Current - Collector Cutoff2uA
Collector - Emitter Voltage VCEO350V
DC Current Gain40
Current - Collector(Ic)1A
Pd - Power Dissipation800mW
typeNPN
Vce Saturation(VCE(sat))500mV
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Caratteristiche

Traduzione AI
  • Compliant with MIL-PRF-19500/368
  • Available device types: 2N3439, 2N3440, 2N3439L, 2N3440L, 2N3439UA, 2N3440UA
  • Radiation hardness levels: JANSM - 3K Rads (Si), JANSD - 10K Rads (Si), JANSP - 30K Rads (Si), JANSL - 50K Rads (Si), JANSR - 100K Rads (Si)
  • Absolute maximum ratings: derate linearly at 4.57 mW/°C for TA > +25°C; derate linearly at 28.5 mW/°C for TC > +25°C; derate linearly at 14 mW/°C for TSP > +25°C
  • Dynamic characteristics include switching characteristics and safe operating area (SOA)
  • Pulse test conditions: pulse width = 300 μs, duty cycle ≤ 2.0%