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VISHAY SIRC06DP-T1-GE3 product image
Immagini a scopo illustrativo

VISHAY SIRC06DP-T1-GE3

Produttore
Cod. Prod.
SIRC06DP-T1-GE3
Cod. LCSC
C5919291
Imballo
PowerPAKSO-8
Numero Cliente
Attr. chiave
30V 60A 2.1V 32W 2.7mΩ@10V 1 N-channel PowerPAKSO-8 Single FETs, MOSFETs RoHS
Scheda TecnicaVISHAY SIRC06DP-T1-GE3
Conformità RoHS1 documenti disponibili
Parti alternative10
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 0.8865$ 0.89
200+$ 0.3546$ 70.92
500+$ 0.3425$ 171.25
1,000+$ 0.3364$ 336.40
Package Standard3000/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreVISHAY
ImballoPowerPAKSO-8
Drain to Source Voltage30V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)60A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.1V
Pd - Power Dissipation32W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)60pF
RDS(on)2.7mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)2.455nF
Gate Charge(Qg)17.5nC@15V

Caratteristiche

Traduzione AI
  • 4th Generation TrenchFET Power MOSFET
  • SkyFET with Integrated Schottky Diode
  • 100% Rg and UIS Tested
  • RoHS Compliant
  • Halogen-Free

Applicazioni

Traduzione AI
  • Personal computers and servers
  • Synchronous buck
  • Synchronous rectification
  • DC/DC conversion

Parti alternative

MPNProduttoreImballaggioDisponibilitàPrezzo unitario
NTMFS4C05NT1GonsemiSO-8FL6$ 1.3664
MX4003D56Wuxi MaxinmicroDFN-8(5x6)4,940$ 0.2057
AON6324AOSDFN-8(5.6x5.2)2,335$ 0.6673
AGM12T12AAGMSEMIPDFN5x6-8L222$0.6767 $0.7355
MOT3145GMOTPDFN5X6-8L4,610$ 0.1452
NTMFS4C55NT3GonsemiSO-8-FL-5.8mm0$ 1.3815
AON6314AOSDFN-8(5x6)0$ 0.3673
NTMFS4C024NT1GonsemiSO-8-FL-5.8mm0$ 0.8156
NTMFS4C35NT1GonsemiSO-8-FL-5.8mm0$ 0.398
NVMFS5C638NLWFT1GonsemiSO-8FL0$ 5.8974