GeneSiC Semiconductor MBRT20030
| Produttore | |
| Cod. Prod. | MBRT20030 |
| Cod. LCSC | C5668779 |
| Imballo | - |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 1 Pair Common Cathode 200A 30V 750mV@100A Diode Arrays RoHS |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor MBRT20030 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 1.5kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode | |
| Current - Rectified | 200A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 30V | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@30V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 750mV@100A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 1.5kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Rectified | 200A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 30V | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@30V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 750mV@100A |
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Descrizione
Traduzione AI
Repetitive reverse peak voltage V<sub>RRM</sub>: 20V - 40V, average forward current I<sub>F(AV)</sub>: 200A
Caratteristiche
Traduzione AI
- High surge capability
- VRRM range: 20V ~ 40V types
- Isolated package
- Electrically isolated base plate
- ESD insensitive
- Triple tower package
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 218.0756 | $ 218.08 |
| 200+ | $ 87.0145 | $ 17402.90 |
| 480+ | $ 84.1066 | $ 40371.17 |
| 1,000+ | $ 82.6701 | $ 82670.10 |
Package Standard40/Full Bag | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 1.5kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode | |
| Current - Rectified | 200A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 30V | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@30V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 750mV@100A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 1.5kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Rectified | 200A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 30V | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@30V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 750mV@100A |
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Descrizione
Traduzione AI
Repetitive reverse peak voltage V<sub>RRM</sub>: 20V - 40V, average forward current I<sub>F(AV)</sub>: 200A
Caratteristiche
Traduzione AI
- High surge capability
- VRRM range: 20V ~ 40V types
- Isolated package
- Electrically isolated base plate
- ESD insensitive
- Triple tower package
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |

