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Modelli EDAEasyEDA
Nexperia PMDT670UPE,115
| Produttore | |
| Cod. Prod. | PMDT670UPE,115 |
| Cod. LCSC | C552761 |
| Imballo | SOT-666 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 20V 550mA 850mΩ@4.5V 330mW 1.3V 2 P-Channel SOT-666 FET, MOSFET Arrays RoHS |
| Scheda Tecnica | Nexperia PMDT670UPE,115 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-666 | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 550mA | |
| RDS(on) | 850mΩ@4.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 330mW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 87pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.14nC@4.5V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-666 | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 550mA | |
| RDS(on) | 850mΩ@4.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 330mW |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 87pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.14nC@4.5V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
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Descrizione
Traduzione AI
Dual P-channel enhancement mode FET using trench MOSFET technology, housed in an ultra-small flat lead SOT666 SMD plastic package.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Ultra-fast switching speed
- Trench MOSFET technology
- ESD protection up to 2 kV
Applicazioni
Traduzione AI
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side load switch
- Switching circuit
Disponibile: 100
100 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.5216 | $ 0.52 |
| 10+ | $ 0.5118 | $ 5.12 |
| 30+ | $ 0.5069 | $ 15.21 |
| 100+ | $ 0.5004 | $ 50.04 |
Package Standard4000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-666 | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 550mA | |
| RDS(on) | 850mΩ@4.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 330mW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 87pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.14nC@4.5V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-666 | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 550mA | |
| RDS(on) | 850mΩ@4.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 330mW |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 87pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.14nC@4.5V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
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Descrizione
Traduzione AI
Dual P-channel enhancement mode FET using trench MOSFET technology, housed in an ultra-small flat lead SOT666 SMD plastic package.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Ultra-fast switching speed
- Trench MOSFET technology
- ESD protection up to 2 kV
Applicazioni
Traduzione AI
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side load switch
- Switching circuit
C552761 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDY1002PZ | TECH PUBLIC | SOT-563 | 4,565 | $ 0.1296 | ||
| TPM2299EX6 | TECH PUBLIC | SOT-563 | 2,900 | $ 0.1141 | ||
| NTZD3152PT1G | TECH PUBLIC | SOT-563 | 1,620 | $ 0.1141 | ||
| TPM2299EX6-1 | TECH PUBLIC | SOT-563 | 1,005 | $ 0.1141 | ||
| DMG1023UV | TECH PUBLIC | SOT-563 | 2,580 | $ 0.1141 | ||
| DMP2004VK-TP | TECH PUBLIC | SOT-563 | 3,000 | $ 0.0606 | ||
| DMG1023UVQ-7 | DIODES | SOT-563 | 90 | $ 0.2969 | ||
| NX3008PBKV-TP | TECH PUBLIC | SOT-563 | 500 | $ 0.101 | ||
| PJX8803_R1_00001 | PANJIT | SOT-563 | 0 | $ 0.0679 | ||
| SP2006KDTL | Siliup | SOT-563 | 0 | $ 0.0342 |