Nexperia PMBTA06,235
| Produttore | |
| Cod. Prod. | PMBTA06,235 |
| Cod. LCSC | C552727 |
| Imballo | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | TRANS NPN 80V 500mA SOT-23 |
| Scheda Tecnica | Nexperia PMBTA06,235 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 20 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Transition frequency(fT) | 100MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 4V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Pd - Power Dissipation | 250mW | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Transition frequency(fT) | 100MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 4V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Pd - Power Dissipation | 250mW | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV |
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Descrizione
Traduzione AI
NPN general-purpose transistor encapsulated in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PMBTA56
Caratteristiche
Traduzione AI
- High current (max. 500 mA)
- Low voltage (max. 80 V)
Applicazioni
Traduzione AI
- General purpose switching and amplification in e.g. telephony and professional communication equipment.
Esaurito
Avvisami
Minimo: 10Multiplo: 10Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 10+ | $ 0.0432 | $ 0.43 |
| 100+ | $ 0.0342 | $ 3.42 |
| 300+ | $ 0.0298 | $ 8.94 |
| 1,000+ | $ 0.0264 | $ 26.40 |
| 5,000+ | $ 0.0237 | $ 118.50 |
| 10,000+ | $ 0.0224 | $ 224.00 |
Package Standard10000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Transition frequency(fT) | 100MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 4V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Pd - Power Dissipation | 250mW | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃ | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Transition frequency(fT) | 100MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 80V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 4V | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Pd - Power Dissipation | 250mW | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Number | 1 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV |
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Descrizione
Traduzione AI
NPN general-purpose transistor encapsulated in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PMBTA56
Caratteristiche
Traduzione AI
- High current (max. 500 mA)
- Low voltage (max. 80 V)
Applicazioni
Traduzione AI
- General purpose switching and amplification in e.g. telephony and professional communication equipment.
C552727 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| PMBTA06,215 | Nexperia | SOT-23 | 125 | $ 0.0805 | ||
| MMBTA06LT3G | onsemi | SOT-23 | 9,740 | $ 0.0386 | ||
| MMBTA06_R1_00001 | PANJIT | SOT-23 | 4,390 | $ 0.0487 | ||
| S-LMBTA06LT1G | LRC | SOT-23 | 2,920 | $ 0.027 | ||
| MMBTA06_R1_00301 | PANJIT | SOT-23 | 2,260 | $ 0.0341 | ||
| MMBTA06-AU_R1_000A1 | PANJIT | SOT-23 | 1,550 | $ 0.0544 | ||
| SMMBTA06LT3G | onsemi | SOT-23 | 70 | $ 0.1458 | ||
| FMMT495 | JSCJ | SOT-23 | 8,840 | $ 0.0627 | ||
| LMBTA06LT1G | LRC | SOT-23 | 5,460 | $ 0.0279 | ||
| SMMBTA06LT1G | onsemi | SOT-23 | 4,240 | $ 0.0763 | ||
| MMBTA06-TP | MCC | SOT-23 | 3,110 | $ 0.0587 | ||
| MMBTA06(RANGE:100-400) | JSCJ | SOT-23 | 2,860 | $ 0.0277 | ||
| MMBTA06-7-F | DIODES | SOT-23 | 1,820 | $ 0.0316 | ||
| MMBTA06 | LGE | SOT-23 | 1,140 | $ 0.0307 | ||
| MMBTA06 | UMW | SOT-23 | 120 | $ 0.031 | ||
| MMBTA06 | Shikues | SOT-23 | 40 | $0.0320 $0.0336 | ||
| MMBTA06Q-7-F | DIODES | SOT-23 | 20 | $ 0.0799 | ||
| MMBTA06LT1G | onsemi | SOT-23 | 0 | $ 0.0361 | ||
| MMBTA 06 LT1 | Infineon | SOT-23 | 0 | $ 0.0927 | ||
| MMBTA06 | YANGJIE | SOT-23 | 0 | $ 0.0227 |



