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HXY MOSFET AO3499
| Produttore | HXY MOSFETAsian Brands |
| Cod. Prod. | AO3499 |
| Cod. LCSC | C54582695 |
| Imballo | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 20V 3A 700mV 1W 60mΩ@4.5V 1 P-Channel P-Channel SOT-23 Single FETs, MOSFETs |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET AO3499 |
| Parti alternative | 18 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Output Capacitance(Coss) | 75pF | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 700mV | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 60mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 55pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 405pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Output Capacitance(Coss) | 75pF | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 700mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 60mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 55pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 405pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| Type | P-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
The AO3499 utilizes advanced trench technology to deliver excellent on-resistance RDS(ON). This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- VDS = -20V, ID = -3A
- RDS(ON) < 80mΩ, @ VGS = -4.5V
Applicazioni
Traduzione AI
- Battery protection
- Load switch
- Uninterruptible power supply
Disponibile: 95
95 Pronta consegna
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.1405$ 0.1335 | $ 0.67 |
| 50+ | $ 0.1132$ 0.1076 | $ 5.38 |
| 150+ | $ 0.0995$ 0.0946 | $ 14.19 |
| 500+ | $ 0.0893$ 0.0849 | $ 42.45 |
| 3,000+ | $ 0.0725$ 0.0689 | $ 206.70 |
| 6,000+ | $ 0.0684$ 0.0650 | $ 390.00 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Output Capacitance(Coss) | 75pF | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 700mV | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 60mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 55pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 405pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Output Capacitance(Coss) | 75pF | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 700mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| RDS(on) | 60mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 55pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 405pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| Type | P-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
The AO3499 utilizes advanced trench technology to deliver excellent on-resistance RDS(ON). This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- VDS = -20V, ID = -3A
- RDS(ON) < 80mΩ, @ VGS = -4.5V
Applicazioni
Traduzione AI
- Battery protection
- Load switch
- Uninterruptible power supply
C54582695 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| HXY2301AI | HXY MOSFET | SOT-23 | 3,000 | $ 0.0229 | ||
| Si2301BDS-HXY | HXY MOSFET | SOT-23 | 2,780 | $0.0474 $0.0498 | ||
| FDN340P | HXY MOSFET | SOT-23 | 720 | $0.0373 $0.0392 | ||
| SI2301-HXY | HXY MOSFET | SOT-23 | 620 | $0.0252 $0.0279 | ||
| SI3441DV-HXY | HXY MOSFET | SOT-23 | 135 | $0.1218 $0.1522 | ||
| KMA3D7P20SA-HXY | HXY MOSFET | SOT-23 | 120 | $0.0842 $0.0886 | ||
| PMV75UP-HXY | HXY MOSFET | SOT-23 | 120 | $0.0772 $0.0965 | ||
| SM2301SRL-HXY | HXY MOSFET | SOT-23 | 110 | $0.0388 $0.0408 | ||
| NXV65UPR-HXY | HXY MOSFET | SOT-23 | 90 | $0.0614 $0.0646 | ||
| NTRV4101PT1G-HXY | HXY MOSFET | SOT-23 | 90 | $0.0622 $0.0654 | ||
| HAO3435 | HXY MOSFET | SOT-23 | 80 | $0.0677 $0.0769 | ||
| NTR4101PT1H-HXY | HXY MOSFET | SOT-23 | 80 | $0.2189 $0.2304 | ||
| ST2305-HXY | HXY MOSFET | SOT-23 | 40 | $0.0278 $0.0292 | ||
| PMV65XP-HXY | HXY MOSFET | SOT-23 | 40 | $0.0401 $0.0422 | ||
| DMP2170U-HXY | HXY MOSFET | SOT-23 | 20 | $0.0703 $0.0739 | ||
| HDMP2120U7 | HXY MOSFET | SOT-23 | 0 | $0.0325 $0.0369 | ||
| DMP2160U-HXY | HXY MOSFET | SOT-23 | 0 | $0.0385 $0.0405 | ||
| DMP2215L-HXY | HXY MOSFET | SOT-23 | 0 | $0.0360 $0.0378 |