HXY MOSFET 2N7002KPW-AQ-HXY
| Produttore | HXY MOSFETAsian Brands |
| Cod. Prod. | 2N7002KPW-AQ-HXY |
| Cod. LCSC | C54582491 |
| Imballo | SOT-323 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 60V 115mA 1.6V 200mW 1.3Ω@10V 1 N-channel N-Channel SOT-323 Single FETs, MOSFETs |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET 2N7002KPW-AQ-HXY |
| Parti alternative | 12 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | SOT-323 | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| RDS(on) | 1.3Ω@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 50pF | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | SOT-323 | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| RDS(on) | 1.3Ω@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 50pF | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
2N7002KPW - AQ utilizes advanced trench technology to deliver excellent on-state resistance RDS(ON), low gate charge, and operation at gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for battery protection or other switching applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Drain-source voltage VDS = 60V, drain current ID = 0.115A
- On-resistance RDS(ON) < 3Ω at gate-source voltage VGS = 10V
Applicazioni
Traduzione AI
- Battery protection
- Load switch
- Uninterruptible power supply
- N-channel MOSFET
Disponibile: 20
20 Pronta consegna
Minimo: 10Multiplo: 10Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 10+ | $ 0.0418$ 0.0398 | $ 0.40 |
| 100+ | $ 0.0337$ 0.0321 | $ 3.21 |
| 300+ | $ 0.0296$ 0.0282 | $ 8.46 |
| 3,000+ | $ 0.024$ 0.0228 | $ 68.40 |
| 6,000+ | $ 0.0216$ 0.0206 | $ 123.60 |
| 9,000+ | $ 0.0204$ 0.0194 | $ 174.60 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | SOT-323 | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| RDS(on) | 1.3Ω@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 50pF | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | SOT-323 | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| RDS(on) | 1.3Ω@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 50pF | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
2N7002KPW - AQ utilizes advanced trench technology to deliver excellent on-state resistance RDS(ON), low gate charge, and operation at gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for battery protection or other switching applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Drain-source voltage VDS = 60V, drain current ID = 0.115A
- On-resistance RDS(ON) < 3Ω at gate-source voltage VGS = 10V
Applicazioni
Traduzione AI
- Battery protection
- Load switch
- Uninterruptible power supply
- N-channel MOSFET
C54582491 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N7002W | HXY MOSFET | SOT-323 | 800 | $0.0202 $0.0212 | ||
| HNX138BKWX | HXY MOSFET | SOT-323-3 | 140 | $0.0363 $0.0412 | ||
| HDMN63D1LW13 | HXY MOSFET | SOT-323 | 100 | $0.0281 $0.0295 | ||
| 2N7002KW | HXY MOSFET | SOT-323 | 100 | $0.0113 $0.0118 | ||
| XP262N70023R-G-HXY | HXY MOSFET | SOT-323 | 95 | $0.1373 $0.1445 | ||
| BSS138PW-HXY | HXY MOSFET | SOT-323 | 95 | $0.1567 $0.1649 | ||
| 2N7002BKW-HXY | HXY MOSFET | SOT-323 | 95 | $0.1335 $0.1405 | ||
| 2N7002HWX-HXY | HXY MOSFET | SOT-323 | 90 | $0.0604 $0.0635 | ||
| 2N7002PW-HXY | HXY MOSFET | SOT-323 | 80 | $0.0721 $0.0758 | ||
| BSS138BKW-BX-HXY | HXY MOSFET | SOT-323 | 80 | $0.0230 $0.0242 | ||
| DMN62D0UW-7-HXY | HXY MOSFET | SOT-323 | 90 | $0.1926 $0.2027 | ||
| HBSS138BKW115 | HXY MOSFET | SOT-323 | 0 | $0.0352 $0.0399 |



