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HXY MOSFET IPW65R045C7300XKSA1-HXY
| Produttore | HXY MOSFETAsian Brands |
| Cod. Prod. | IPW65R045C7300XKSA1-HXY |
| Cod. LCSC | C53134032 |
| Imballo | TO-247 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 650V 70A 2.7V 214W 36mΩ@18V 1 N-channel N-Channel TO-247 Single FETs, MOSFETs |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET IPW65R045C7300XKSA1-HXY |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | TO-247 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Output Capacitance(Coss) | 115pF | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.7V | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.3pF | |
| RDS(on) | 36mΩ@18V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.525nF | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | TO-247 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Output Capacitance(Coss) | 115pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.7V | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.3pF | |
| RDS(on) | 36mΩ@18V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.525nF | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Wide bandgap SiC MOSFET technology
- Low on-resistance with high blocking voltage
- Low capacitance for high-speed switching
- Low reverse recovery charge (Qrr)
- Halogen-free, RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- Switching power supplies
- Renewable energy
- On-board chargers
- High-voltage DC/DC converters
Disponibile: 8
8 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 6.7746$ 5.4197 | $ 5.42 |
| 10+ | $ 5.8449$ 4.6760 | $ 46.76 |
| 30+ | $ 5.2769$ 4.2216 | $ 126.65 |
| 90+ | $ 4.8025$ 3.8420 | $ 345.78 |
Package Standard30/Full Tube | ||
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$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | TO-247 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Output Capacitance(Coss) | 115pF | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.7V | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.3pF | |
| RDS(on) | 36mΩ@18V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.525nF | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | HXY MOSFET | |
| Imballo | TO-247 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Output Capacitance(Coss) | 115pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.7V | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.3pF | |
| RDS(on) | 36mΩ@18V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.525nF | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Wide bandgap SiC MOSFET technology
- Low on-resistance with high blocking voltage
- Low capacitance for high-speed switching
- Low reverse recovery charge (Qrr)
- Halogen-free, RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- Switching power supplies
- Renewable energy
- On-board chargers
- High-voltage DC/DC converters
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | |
| USHTS | |
| TARIC | |
| CAHTS | |
| BRHTS | |
| INHTS | |
| MXHTS |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | |
| USHTS | |
| TARIC |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | |
| BRHTS | |
| INHTS | |
| MXHTS |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| IMW65R027M1HXKSA1-HXY | HXY MOSFET | TO-247 | 30 | $8.8143 $11.0178 | ||
| IMW65R033M2HXKSA1-HXY | HXY MOSFET | TO-247 | 20 | $6.6995 $7.0521 | ||
| IPW65R029CFD7XKSA1-HXY | HXY MOSFET | TO-247 | 20 | $4.8172 $5.3524 | ||
| UJ3C065030K3S-HXY | HXY MOSFET | TO-247 | 9 | $12.7544 $15.9429 | ||
| IMW65R026M2HXKSA1-HXY | HXY MOSFET | TO-247 | 7 | $7.4670 $9.3337 | ||
| C3M0025065D-HXY | HXY MOSFET | TO-247 | 6 | $6.8273 $8.5341 | ||
| IPW60R031CFD7XKSA1-HXY | HXY MOSFET | TO-247 | 4 | $5.5467 $6.9333 | ||
| DIW065SIC015-HXY | HXY MOSFET | TO-247 | 5 | $17.9668 $22.4584 | ||
| IMW65R020M2HXKSA1-HXY | HXY MOSFET | TO-247 | 60 | $8.8976 $9.3658 | ||
| NTHL023N065M3S-HXY | HXY MOSFET | TO-247 | 0 | $ 8.5341 |