LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Accedi
USD
VBsemi Elec DMTH8008SFGQ-7-VB product image
  • DMTH8008SFGQ-7-VB thumbnail 1
  • DMTH8008SFGQ-7-VB thumbnail 2
  • DMTH8008SFGQ-7-VB thumbnail 3
  • Pinout
  • Footprint
Immagini a scopo illustrativo

VBsemi Elec DMTH8008SFGQ-7-VB

Produttore
VBsemi ElecAsian Brands
Cod. Prod.
DMTH8008SFGQ-7-VB
Cod. LCSC
C53133485
Imballo
DFN-8(3X3)
Numero Cliente
Attr. chiave
85V 56A 2V 136W 7mΩ@10V 1 N-channel N-Channel DFN-8(3X3) Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaVBsemi Elec DMTH8008SFGQ-7-VB
Disponibile: 5
5 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.Importo totale
1+$ 1.3193$ 1.32
10+$ 1.1325$ 11.33
30+$ 1.0374$ 31.12
100+$ 0.9456$ 94.56
500+$ 0.8899$ 444.95
1,000+$ 0.8604$ 860.40
Package Standard5000/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreVBsemi Elec
ImballoDFN-8(3X3)
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage85V
Current - Continuous Drain(Id)56A
Output Capacitance(Coss)470pF
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2V
Pd - Power Dissipation136W
RDS(on)7mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)225pF
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)5.6nF
Gate Charge(Qg)68nC
Vgs±20V
TypeN-Channel

Caratteristiche

Traduzione AI
  • Junction temperature 175 °C
  • SGT technology power MOSFET
  • RoHS compliant
  • N-channel MOSFET