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UTC 3N90L-TN3-R

Hersteller
UTCAsian Brands
Herst.-Teilenr.
3N90L-TN3-R
LCSC-Nr.
C5310419
Verp.
TO-252
Kundennummer
Hauptmerkm.
MOSFET N-CH 900V 3A TO-252
DatenblattUTC 3N90L-TN3-R
RoHS-Konformität1 Dokumente verfügbar
Alternativteile1
Nicht vorrätig
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Minimum: 5Vielfaches: 5Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
5+$ 0.3329$ 1.66
50+$ 0.2629$ 13.15
150+$ 0.2329$ 34.94
500+$ 0.1955$ 97.75
2,500+$ 0.1789$ 447.25
5,000+$ 0.1689$ 844.50
Standardgehäuse2500/Full Reel
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerUTC
Verp.TO-252
Drain to Source Voltage900V
Current - Continuous Drain(Id)3A
Output Capacitance(Coss)65pF
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))5V
Pd - Power Dissipation45W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)8.6pF
RDS(on)4.8Ω@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)455pF
Gate Charge(Qg)20nC@10V
TypeN-Channel
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Beschreibung

KI-Übersetzung

UTC 3N90-C features excellent on-resistance RDS(ON) and low gate charge, capable of operating at low gate voltages. The device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • RDS(ON) ≤ 4.8Ω at VGS = 10V, ID = 1.5A
  • Low reverse transfer capacitance
  • Fast switching capability
  • Specified avalanche energy
  • Improved dv/dt capability, high ruggedness

Alternativteile

MPNHerstellerVerpackungVerfügbarkeitStückpreis
3N100G-TN3-RUTCTO-2522,615$ 0.3661