LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
Koszyk
5% OFF
VBsemi Elec BUK9612-55B,118-VB product image
  • BUK9612-55B,118-VB thumbnail 1
  • BUK9612-55B,118-VB thumbnail 2
  • BUK9612-55B,118-VB thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

VBsemi Elec BUK9612-55B,118-VB

Producent
VBsemi ElecAsian Brands
Nr części prod.
BUK9612-55B,118-VB
Nr LCSC
C52191013
Opak.
TO-263
Numer Klienta
Klucz. cechy
220W 60V 2V 4mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-263 Single FETs, MOSFETs
Karta KatalogowaVBsemi Elec BUK9612-55B,118-VB
Na stanie: 5
5 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
Szt.Cena jedn.Suma całkowita
1+$ 1.5225$ 1.4464$ 1.45
10+$ 1.3144$ 1.2487$ 12.49
50+$ 1.2111$ 1.1506$ 57.53
100+$ 1.1079$ 1.0526$ 105.26
500+$ 1.0456$ 0.9934$ 496.70
1,000+$ 1.0145$ 0.9638$ 963.80
Standardowa Obudowa50/Full Tube
Lepsza cena za większą ilość?
$

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentVBsemi Elec
Opak.TO-263
Output Capacitance(Coss)715pF
Pd - Power Dissipation220W
Drain to Source Voltage60V
Operating Temperature-55℃~+175℃
Configuration-
Current - Continuous Drain(Id)-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)360pF
RDS(on)4mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)7nF
Gate Charge(Qg)96nC
Vgs±20V
TypeN-Channel
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • Trench power MOSFET
  • Low thermal resistance package
  • 100% gate resistance (Rg) and unclamped inductive switching (UIS) tested
  • RoHS compliant
  • Halogen-free