HXY MOSFET BD682
| 제조업체 | HXY MOSFETAsian Brands |
| 제조사 품번 | BD682 |
| LCSC 번호 | C50285117 |
| 포장 | TO-126 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 100V 8000 4A PNP TO-126 Single Bipolar Transistors |
| 데이터시트 | HXY MOSFET BD682 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | TO-126 | |
| Operating Temperature | - | |
| Current - Collector Cutoff | 1uA | |
| Transition frequency(fT) | - | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V | |
| DC Current Gain | 8000 | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| Current - Collector(Ic) | 4A | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Configuration | Standalone | |
| type | PNP | |
| Number | - | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.8V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | TO-126 | |
| Operating Temperature | - | |
| Current - Collector Cutoff | 1uA | |
| Transition frequency(fT) | - | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V | |
| DC Current Gain | 8000 |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| Current - Collector(Ic) | 4A | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Configuration | Standalone | |
| type | PNP | |
| Number | - | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.8V |
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주요 특징
AI 번역
- Complement To BD679,681
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| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.2199$ 0.2090 | $ 1.05 |
| 50+ | $ 0.1762$ 0.1674 | $ 8.37 |
| 150+ | $ 0.1574$ 0.1496 | $ 22.44 |
| 500+ | $ 0.134$ 0.1273 | $ 63.65 |
| 2,500+ | $ 0.1236$ 0.1175 | $ 293.75 |
| 5,000+ | $ 0.1173$ 0.1115 | $ 557.50 |
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | TO-126 | |
| Operating Temperature | - | |
| Current - Collector Cutoff | 1uA | |
| Transition frequency(fT) | - | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V | |
| DC Current Gain | 8000 | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| Current - Collector(Ic) | 4A | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Configuration | Standalone | |
| type | PNP | |
| Number | - | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.8V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | TO-126 | |
| Operating Temperature | - | |
| Current - Collector Cutoff | 1uA | |
| Transition frequency(fT) | - | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V | |
| DC Current Gain | 8000 |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 6V | |
| Current - Collector(Ic) | 4A | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Configuration | Standalone | |
| type | PNP | |
| Number | - | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.8V |
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주요 특징
AI 번역
- Complement To BD679,681
C50285117 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |



