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DOINGTER DOPF50N10-L

Produttore
DOINGTERAsian Brands
Cod. Prod.
DOPF50N10-L
Cod. LCSC
C42441869
Imballo
TO-220F
Numero Cliente
Attr. chiave
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220F
Scheda TecnicaDOINGTER DOPF50N10-L
Conformità RoHS2 documenti disponibili
Disponibile: 53
53 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.Importo totale
1+$ 0.4671$ 0.47
10+$ 0.3721$ 3.72
50+$ 0.3311$ 16.56
100+$ 0.2803$ 28.03
500+$ 0.259$ 129.50
1,000+$ 0.2442$ 244.20
Package Standard50/Full Tube
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreDOINGTER
ImballoTO-220F
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage100V
Output Capacitance(Coss)865pF
Current - Continuous Drain(Id)50A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.7V
Pd - Power Dissipation156W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)14.7pF
RDS(on)11mΩ@4.5V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)2.289nF
Gate Charge(Qg)47nC@10V
TypeN-Channel
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >

Descrizione

Traduzione AI

This N-channel MOSFET adopts advanced SGT technology and design, delivering excellent on-resistance RDS(on) with low gate charge. It is suitable for a wide range of applications.

Caratteristiche

Traduzione AI
  • Drain-source voltage V<sub>DS</sub> = 100 V, drain current I<sub>D</sub> = 50 A, on-resistance R<sub>DS(ON)</sub> < 7.5 mΩ (typical: 6.8 mΩ) at gate-source voltage V<sub>GS</sub> = 10 V
  • Low gate charge
  • RoHS-compliant devices available
  • Advanced high cell density trench technology for ultra-low R<sub>DS(ON)</sub>
  • Excellent package with superior thermal dissipation