- 핀아웃
- 풋프린트
실제 제품과 다를 수 있음
EDA 모델EasyEDA
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HL | |
| 포장 | SOT-23-3L | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 51pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| RDS(on) | 140mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 34pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 715pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.9nC@4.5V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HL | |
| 포장 | SOT-23-3L | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 51pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| RDS(on) | 140mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 34pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 715pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.9nC@4.5V |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Ultra-low gate charge
- RoHS compliant devices available
- Excellent Cdv/dt immunity
- Advanced high cell density trench technology
- 100% avalanche energy rated guaranteed
재고 있음: 2,910
2,910 재고 있음, 당일 발송
최소값: 10배수: 10판매 단위: Piece
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| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 10+ | $ 0.0524 | $ 0.52 |
| 100+ | $ 0.0415 | $ 4.15 |
| 300+ | $ 0.036 | $ 10.80 |
| 3,000+ | $ 0.0319 | $ 95.70 |
| 6,000+ | $ 0.0286 | $ 171.60 |
| 9,000+ | $ 0.0269 | $ 242.10 |
표준 패키지3000/Full Reel | ||
수량이 많을수록 더 좋은 가격?
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HL | |
| 포장 | SOT-23-3L | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 51pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| RDS(on) | 140mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 34pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 715pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.9nC@4.5V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HL | |
| 포장 | SOT-23-3L | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 51pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| RDS(on) | 140mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 34pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 715pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.9nC@4.5V |
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주요 특징
AI 번역
- Ultra-low gate charge
- RoHS compliant devices available
- Excellent Cdv/dt immunity
- Advanced high cell density trench technology
- 100% avalanche energy rated guaranteed
C39673592 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
대체 부품
| MPN | 제조사 | 포장 | 재고 현황 | 단가 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 3P10 | HL | SOT-23-3L | 385 | $ 0.1096 |