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Modelli EDAEasyEDA
onsemi 2N5639RLRA
| Produttore | |
| Cod. Prod. | 2N5639RLRA |
| Cod. LCSC | C3282529 |
| Imballo | - |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 60Ω 310mW 1 N-channel 35V RF FETs, MOSFETs |
| Scheda Tecnica | onsemi 2N5639RLRA |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 60Ω | |
| Drain Current (Idss) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 310mW | |
| Operating Temperature | -65℃~+135℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss) | 35V | |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)) | - | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 60Ω | |
| Drain Current (Idss) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 310mW |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Operating Temperature | -65℃~+135℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss) | 35V | |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)) | - | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - |
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.1325 | $ 0.13 |
| 200+ | $ 0.0513 | $ 10.26 |
| 500+ | $ 0.0495 | $ 24.75 |
| 1,000+ | $ 0.0486 | $ 48.60 |
Package Standard2000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 60Ω | |
| Drain Current (Idss) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 310mW | |
| Operating Temperature | -65℃~+135℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss) | 35V | |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)) | - | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 60Ω | |
| Drain Current (Idss) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 310mW |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Operating Temperature | -65℃~+135℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss) | 35V | |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)) | - | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - |
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C3282529 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |