- Pinout
- Footprint
Immagini a scopo illustrativo
Modelli EDAEasyEDA
RENESAS NP100P06PDG-E1-AY
| Produttore | |
| Cod. Prod. | NP100P06PDG-E1-AY |
| Cod. LCSC | C3281532 |
| Imballo | TO-263 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET P-CH 60V 100A TO-263 |
| Scheda Tecnica | RENESAS NP100P06PDG-E1-AY |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | RENESAS | |
| Imballo | TO-263 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 840pF | |
| RDS(on) | 7.8mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 15nF | |
| Gate Charge(Qg) | 300nC | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | RENESAS | |
| Imballo | TO-263 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 840pF | |
| RDS(on) | 7.8mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 15nF | |
| Gate Charge(Qg) | 300nC | |
| Type | P-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Super low on-state resistance: RDS(on)=6.0 mΩ Max. (VGS=-10 V, ID=-50 A)
- RDS(on)=7.8 mΩ Max. (VGS=-4.5 V, ID=-50 A)
- Low input capacitance: Ciss = 15000 pF Typ.
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified.
- Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)
Applicazioni
Traduzione AI
- Automotive
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 5.6328 | $ 5.63 |
| 10+ | $ 4.8031 | $ 48.03 |
| 30+ | $ 4.298 | $ 128.94 |
| 100+ | $ 3.8749 | $ 387.49 |
Package Standard800/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | RENESAS | |
| Imballo | TO-263 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 840pF | |
| RDS(on) | 7.8mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 15nF | |
| Gate Charge(Qg) | 300nC | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | RENESAS | |
| Imballo | TO-263 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 840pF | |
| RDS(on) | 7.8mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 15nF | |
| Gate Charge(Qg) | 300nC | |
| Type | P-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Super low on-state resistance: RDS(on)=6.0 mΩ Max. (VGS=-10 V, ID=-50 A)
- RDS(on)=7.8 mΩ Max. (VGS=-4.5 V, ID=-50 A)
- Low input capacitance: Ciss = 15000 pF Typ.
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified.
- Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)
Applicazioni
Traduzione AI
- Automotive
C3281532 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| HSH047P06 | HUASHUO | TO-263 | 3,095 | $ 2.2089 | ||
| NP100P06PDG-TP | TECH PUBLIC | TO-263 | 1,365 | $1.2363 $1.3013 | ||
| TPM60110PW3-1 | TECH PUBLIC | TO-263 | 200 | $2.1007 $2.2112 | ||
| HSH8129 | HUASHUO | TO-263 | 521 | $ 2.1039 | ||
| SQM120P06-07L_GE3 | VISHAY | TO-263 | 249 | $ 3.5628 | ||
| S110P06G | HL | TO-263 | 6,234 | $ 1.1198 | ||
| AGM60P130H | AGMSEMI | TO-263 | 78 | $ 1.3226 | ||
| HYG045P06LA1B | HUAYI | TO-263-2 | 0 | $ 2.1942 | ||
| GSFT06130 | Suzhou Good-Ark Elec | TO-263 | 0 | $ 1.1172 | ||
| LWS6008A5 | Lewa Micro | TO-263 | 0 | $ 1.3144 |