LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Accedi
USD
onsemi FDD6035AL product image
Immagini a scopo illustrativo

onsemi FDD6035AL

Produttore
Cod. Prod.
FDD6035AL
Cod. LCSC
C3281336
Imballo
TO-252(DPAK)
Numero Cliente
Attr. chiave
30V, 46A, N-Channel MOSFET
Scheda Tecnicaonsemi FDD6035AL
Conformità RoHS3 documenti disponibili
Non disponibile al momento
Minimo: 10Multiplo: 10Unità di vendita: Piece

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Produttoreonsemi
ImballoTO-252(DPAK)
Drain to Source Voltage30V
Operating Temperature-55℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)325pF
Current - Continuous Drain(Id)46A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Pd - Power Dissipation56W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)150pF
RDS(on)14mΩ@4.5V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)1.23nF
Gate Charge(Qg)18nC@5V
TypeN-Channel

Descrizione

Traduzione AI

This N-channel MOSFET is manufactured using the advanced PowerTrench process, which is specially designed to minimize on-resistance while maintaining low gate charge for superior switching performance.

Caratteristiche

Traduzione AI
  • 46 A, 30 V, RDS(ON) = 12 mΩ (at VGS = 10 V)
  • RDS(ON) = 14 mΩ (at VGS = 4.5 V)
  • Low gate charge
  • Fast switching speed
  • High-performance trench technology for ultra-low RDS(ON)

Applicazioni

Traduzione AI
  • DC/DC Converters - Motor Drivers