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Modelli EDAEasyEDA
Infineon IPLK70R600P7ATMA1
| Produttore | |
| Cod. Prod. | IPLK70R600P7ATMA1 |
| Cod. LCSC | C3278616 |
| Imballo | TDSON-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 600V 70A TDSON-8 |
| Scheda Tecnica | Infineon IPLK70R600P7ATMA1 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TDSON-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Output Capacitance(Coss) | 7pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 46.3W | |
| RDS(on) | 490mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 364pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10.5nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TDSON-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Output Capacitance(Coss) | 7pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 46.3W | |
| RDS(on) | 490mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 364pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10.5nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TDSON-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Output Capacitance(Coss) | 7pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 46.3W | |
| RDS(on) | 490mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 364pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10.5nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TDSON-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Output Capacitance(Coss) | 7pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 46.3W | |
| RDS(on) | 490mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 364pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10.5nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |