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Mini-Circuits PMA2-252LN+ product image
Immagini a scopo illustrativo

Mini-Circuits PMA2-252LN+

Produttore
Mini-Circuits
Cod. Prod.
PMA2-252LN+
Cod. LCSC
C3191222
Imballo
TFDFN-8-EP
Numero Cliente
Attr. chiave
1.5GHz~2.5GHz 15.7dB 1.2dB 18.5dBm 57mA TFDFN-8-EP RF Amplifiers RoHS
Scheda TecnicaMini-Circuits PMA2-252LN+
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 6.8436$ 6.84
200+$ 2.6494$ 529.88
500+$ 2.5561$ 1278.05
1,000+$ 2.5102$ 2510.20
Package Standard3000/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaRF and Wireless/RF Amplifiers
ProduttoreMini-Circuits
ImballoTFDFN-8-EP
Input Return Loss21.3dB
Operating Temperature-40℃~+85℃
Frequency Range1.5GHz~2.5GHz
Gain15.7dB
Voltage - Supply3V;4V
Output Return Loss28.5dB
Noise Figure1.2dB
Features-
IP331.1dBm
P1dB18.5dBm
Current - Supply57mA
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Descrizione

Traduzione AI

PMA2-252LN+ is an ultra-low noise MMIC amplifier based on E-pHEMT technology, distinguished by its combination of low noise and high IP3 performance, making it ideal for receiver applications demanding high sensitivity and wide dynamic range. The design operates from a single supply voltage ranging from 3 to 4V.

Caratteristiche

Traduzione AI
  • Low noise figure: 0.8 dB at 1.8 GHz
  • High third-order intercept point: 30 dBm typical at 1.8 GHz
  • Adjustable current: 25 to 80 mA range
  • 1 dB compression point: 17.9 dBm typical at 1.8 GHz
  • Adjustable gain: ±1.5 dB range
  • Active bias
  • Drop-in replacement for MGA-632P8

Applicazioni

Traduzione AI
  • Base station infrastructure
  • Satellite communications
  • LTE
  • GPS