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Infineon FF2400RB12IP7BPSA1 product image
Abbildung ähnlich

Infineon FF2400RB12IP7BPSA1

Hersteller
Infineon
Herst.-Teilenr.
FF2400RB12IP7BPSA1
LCSC-Nr.
C3171269
Verp.
-
Kundennummer
Hauptmerkm.
2.4kA 750V IGBT Module IGBT Modules RoHS
DatenblattInfineon FF2400RB12IP7BPSA1
RoHS-Konformität1 Dokumente verfügbar
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Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
1+$ 878.4209$ 878.42
200+$ 822.4284$ 164485.68
500+$ 793.5262$ 396763.10
1,000+$ 779.244$ 779244.00
Standardgehäuse2/Full Tray
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/IGBT Modules
HerstellerInfineon
Verp.-
Pd - Power Dissipation-
Td(off)-
Td(on)-
Current - Collector(Ic)2.4kA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)750V
Reverse Transfer Capacitance (Cres)1.92nF
IGBT TypeIGBT Module
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)-
Gate Charge(Qg)-
Vce Saturation(VCE(sat))-
Reverse Recovery Time(trr)-
Switching Energy(Eoff)-
Turn-On Energy (Eon)-
Operating Temperature-40℃~+150℃
Input Capacitance(Cies)325nF
Output Capacitance(Coes)-
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Merkmale

KI-Übersetzung
  • Electrical characteristics: V_CES = 1200 V, I_C nom = 2400 A / I_CRM = 4800 A, high current density, low inductance design, low V_CE,sat, T_vj,op = 150 °C, overload operating temperature up to 175 °C, TRENCHSTOP™ IGBT7 technology
  • Mechanical characteristics: high creepage distance and clearance, high power density, package CTI > 400

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Three-level applications
  • Solar applications
  • Energy storage systems