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VISHAY SIS892ADN-T1-GE3

Produttore
VISHAY
Cod. Prod.
SIS892ADN-T1-GE3
Cod. LCSC
C2994665
Imballo
Power-PAK-1212-8
Numero Cliente
Attr. chiave
MOSFET N-CH 100V 28A Power-PAK-1212-8
Scheda TecnicaVISHAY SIS892ADN-T1-GE3
Conformità RoHS2 documenti disponibili
Disponibile: 86
86 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.Importo totale
1+$ 1.0604$ 1.06
10+$ 1.044$ 10.44
30+$ 1.0325$ 30.98
100+$ 1.021$ 102.10
Package Standard3000/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreVISHAY
ImballoPower-PAK-1212-8
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage100V
Output Capacitance(Coss)217pF
Current - Continuous Drain(Id)28A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Pd - Power Dissipation33W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)26pF
RDS(on)47mΩ@4.5V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)550pF
Gate Charge(Qg)6.1nC
TypeN-Channel
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >

Descrizione

Traduzione AI

NP4834D6 utilizes advanced trench technology to deliver excellent RDS(ON) with low gate charge. The device is suitable for high-side switching in switch-mode power supplies (SMPS) and general-purpose applications.

Caratteristiche

Traduzione AI
  • RoHS COMPLIANT HALOGEN FREE
  • TrenchFET power MOSFET
  • 100 % Rg and UIS tested
  • Capable of operating with 5 V gate drive

Applicazioni

Traduzione AI
  • Telecom bricks
  • Primary side switch
  • Synchronous rectification
  • Industrial