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VISHAY SIRA20DP-T1-RE3
| Produttore | |
| Cod. Prod. | SIRA20DP-T1-RE3 |
| Cod. LCSC | C2978665 |
| Imballo | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 25V 100A SO-8 |
| Scheda Tecnica | VISHAY SIRA20DP-T1-RE3 |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SO-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 3.36nF | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 25V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 720pF | |
| RDS(on) | 0.82mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 10.85nF | |
| Gate Charge(Qg) | 200nC@10V | |
| Vgs | ±16V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SO-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 3.36nF | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 25V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 720pF | |
| RDS(on) | 0.82mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 10.85nF | |
| Gate Charge(Qg) | 200nC@10V | |
| Vgs | ±16V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- TrenchFET Gen IV power MOSFET
- Optimized Q₉, Qgd, and Ω₉d/Q₉s ratio reduces switching related power loss
- 100 % Rg and UIS tested
Applicazioni
Traduzione AI
- Synchronous rectification
- High power density DC/DC
- Synchronous buck converter
- OR - ing
- Load switching
- Battery management
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.453 | $ 1.45 |
| 10+ | $ 1.2443 | $ 12.44 |
| 30+ | $ 1.1285 | $ 33.86 |
| 100+ | $ 0.9997 | $ 99.97 |
| 500+ | $ 0.941 | $ 470.50 |
| 1,000+ | $ 0.9149 | $ 914.90 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SO-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 3.36nF | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 25V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 720pF | |
| RDS(on) | 0.82mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 10.85nF | |
| Gate Charge(Qg) | 200nC@10V | |
| Vgs | ±16V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SO-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 3.36nF | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 25V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 720pF | |
| RDS(on) | 0.82mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 10.85nF | |
| Gate Charge(Qg) | 200nC@10V | |
| Vgs | ±16V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- TrenchFET Gen IV power MOSFET
- Optimized Q₉, Qgd, and Ω₉d/Q₉s ratio reduces switching related power loss
- 100 % Rg and UIS tested
Applicazioni
Traduzione AI
- Synchronous rectification
- High power density DC/DC
- Synchronous buck converter
- OR - ing
- Load switching
- Battery management
C2978665 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| TPHR6503PL,L1Q(M | TOSHIBA | SOP-8 | 8,244 | $ 1.4895 | ||
| TPHR6503PL1,LQ | TOSHIBA | SOP-8 | 17 | $ 5.295 | ||
| SIDR638DP-T1-GE3 | VISHAY | SO-8 | 10 | $ 4.1973 | ||
| TPHR6503PL,L1Q | TOSHIBA | SOP-8 | 5,022 | $ 1.4895 | ||
| TPHR9203PL1,LQ | TOSHIBA | SOP-8 | 5 | $ 0.9172 | ||
| SIRA32DP-T1-RE3 | VISHAY | SO-8 | 18 | $ 0.6997 | ||
| TPHR8504PL,L1Q | TOSHIBA | SOP-8 | 0 | $ 1.4206 | ||
| TPHR9003NL1,LQ | TOSHIBA | SOP-8 | 0 | $ 1.5762 | ||
| TPH2R003PL,LQ | TOSHIBA | SOP-8 | 0 | $ 0.8969 | ||
| TPHR9203PL,L1Q | TOSHIBA | SOP-8 | 0 | $ 1.4683 |