LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Accedi
USD
Carrello
HUASHUO HSX044N25 product image
Immagini a scopo illustrativo

HUASHUO HSX044N25

Produttore
HUASHUOAsian Brands
Cod. Prod.
HSX044N25
Cod. LCSC
C28314526
Imballo
TO-247
Numero Cliente
Attr. chiave
MOSFET N-CH 250V 55A TO-247
Scheda TecnicaHUASHUO HSX044N25
Disponibile: 300
300 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.Importo totale
1+$ 2.0685$ 2.07
10+$ 1.7516$ 17.52
30+$ 1.5525$ 46.58
100+$ 1.3473$ 134.73
500+$ 1.2553$ 627.65
1,000+$ 1.2161$ 1216.10
Package Standard30/Full Tube
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreHUASHUO
ImballoTO-247
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage250V
Current - Continuous Drain(Id)55A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))5V
Pd - Power Dissipation350W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)85pF
RDS(on)44mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)8.547nF
Gate Charge(Qg)155nC@10V
TypeN-Channel
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >

Descrizione

Traduzione AI

HSX044N25 is a high-performance trench N-channel MOSFET with ultra-high cell density, delivering excellent on-resistance (R<sub>DS(ON)</sub>) and gate charge for most synchronous buck converter applications. HSX044N25 complies with RoHS and green product requirements, is 100% guaranteed avalanche-rated (EAS), and has passed full-function reliability qualification.

Caratteristiche

Traduzione AI
  • Ultra-low gate charge
  • Green/RoHS-compliant devices available
  • Excellent Cdv/dt immunity
  • Advanced high-cell-density trench technology