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NCE NCEP090N10GU

Produttore
NCEAsian Brands
Cod. Prod.
NCEP090N10GU
Cod. LCSC
C2686797
Imballo
DFN-8L(5x6)
Numero Cliente
Attr. chiave
N-Channel, Current:65A, Voltage:100V
Scheda TecnicaNCE NCEP090N10GU
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 0.6167$ 0.62
10+$ 0.4876$ 4.88
30+$ 0.4223$ 12.67
100+$ 0.3586$ 35.86
500+$ 0.3203$ 160.15
1,000+$ 0.2996$ 299.60
Package Standard5000/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreNCE
ImballoDFN-8L(5x6)
Drain to Source Voltage100V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)289pF
Current - Continuous Drain(Id)65A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Pd - Power Dissipation85W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)20pF
RDS(on)9mΩ@10V
Input Capacitance(Ciss)2.16nF
Gate Charge(Qg)42nC@10V
TypeN-Channel
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Descrizione

Traduzione AI

This series of devices utilizes Super Trench II technology, uniquely optimized to deliver the highest efficiency high-frequency switching performance. The combination of ultra-low RDS(ON) and QG minimizes both conduction and switching power losses. These devices are ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.

Caratteristiche

Traduzione AI
  • VDS = 100V, ID = 65A
  • RDS(ON) = 7.0mΩ, typical @ VGS = 10V
  • Excellent gate charge × RDS(on) figure of merit (FOM)
  • Ultra-low on-resistance RDS(ON)
  • Operating temperature 150°C
  • Lead-free plating
  • 100% UIS tested!
  • 100% ΔVds tested!

Applicazioni

Traduzione AI
  • DC/DC converter
  • High-frequency switching and synchronous rectification