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DIODES DMT3009UDT-7 product image
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DIODES DMT3009UDT-7

Produttore
DIODES
Cod. Prod.
DMT3009UDT-7
Cod. LCSC
C19949987
Imballo
-
Numero Cliente
Attr. chiave
30V 30A 15mΩ@4.5V 16W 1.8V FET, MOSFET Arrays RoHS
Scheda TecnicaDIODES DMT3009UDT-7
Conformità RoHS4 documenti disponibili
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 0.6881$ 0.69
200+$ 0.275$ 55.00
500+$ 0.2658$ 132.90
1,500+$ 0.2613$ 391.95
Package Standard1500/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays
ProduttoreDIODES
Imballo-
Drain to Source Voltage30V
Current - Continuous Drain(Id)30A
RDS(on)15mΩ@4.5V
Pd - Power Dissipation16W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.8V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)76pF
Input Capacitance(Ciss)894pF
Gate Charge(Qg)14.6nC@10V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)381pF
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Descrizione

Traduzione AI

This next-generation MOSFET is designed to minimize on-resistance R<sub>DS(ON)</sub> while maintaining superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.

Caratteristiche

Traduzione AI
  • Ultra-low gate threshold voltage
  • Low on-resistance
  • Low input capacitance
  • Fast switching speed
  • Electrostatic-protected gate
  • Fully lead-free and fully RoHS compliant
  • Halogen and antimony-free, "Green" device

Applicazioni

Traduzione AI
  • General-purpose interface switch
  • Power management function