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Tritech-MOS TM3030DF
| Produttore | Tritech-MOSAsian Brands |
| Cod. Prod. | TM3030DF |
| Cod. LCSC | C18186785 |
| Imballo | DFN-8(3x3) |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH+P-CH ARR 30V 30A DFN-8(3x3) |
| Scheda Tecnica | Tritech-MOS TM3030DF |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 1 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Tritech-MOS | |
| Imballo | DFN-8(3x3) | |
| Operating Temperature | - | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 150pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 135pF | |
| RDS(on) | 38mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.15nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V | |
| Type | N-Channel + P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Tritech-MOS | |
| Imballo | DFN-8(3x3) | |
| Operating Temperature | - | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 150pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 135pF | |
| RDS(on) | 38mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.15nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V | |
| Type | N-Channel + P-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
- Low on-resistance RDS(ON)
- RoHS compliant and halogen-free
Caratteristiche
Traduzione AI
- N-Channel:
- Drain-source voltage VDS = 30 V, drain current ID = 30 A
- On-resistance RDS(ON) = 9 mΩ at gate-source voltage VGS = 10 V
- P-Channel:
- Drain-source voltage VDS = -30 V, drain current ID = -30 A
- On-resistance RDS(ON) = 19 mΩ at gate-source voltage VGS = -10 V
- 100% single-pulse avalanche energy tested
- 100% gate resistance tested
- Green/RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- Load Switch - Pulse Width Modulation (PWM)
Disponibile: 855
855 Pronta consegna
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.2415$ 0.2295 | $ 1.15 |
| 50+ | $ 0.1909$ 0.1814 | $ 9.07 |
| 150+ | $ 0.1692$ 0.1608 | $ 24.12 |
| 500+ | $ 0.1422$ 0.1351 | $ 67.55 |
| 2,000+ | $ 0.1302$ 0.1237 | $ 247.40 |
| 4,000+ | $ 0.1229$ 0.1168 | $ 467.20 |
Package Standard2000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Tritech-MOS | |
| Imballo | DFN-8(3x3) | |
| Operating Temperature | - | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 150pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 135pF | |
| RDS(on) | 38mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.15nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V | |
| Type | N-Channel + P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Tritech-MOS | |
| Imballo | DFN-8(3x3) | |
| Operating Temperature | - | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 150pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 135pF | |
| RDS(on) | 38mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.15nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V | |
| Type | N-Channel + P-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
- Low on-resistance RDS(ON)
- RoHS compliant and halogen-free
Caratteristiche
Traduzione AI
- N-Channel:
- Drain-source voltage VDS = 30 V, drain current ID = 30 A
- On-resistance RDS(ON) = 9 mΩ at gate-source voltage VGS = 10 V
- P-Channel:
- Drain-source voltage VDS = -30 V, drain current ID = -30 A
- On-resistance RDS(ON) = 19 mΩ at gate-source voltage VGS = -10 V
- 100% single-pulse avalanche energy tested
- 100% gate resistance tested
- Green/RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- Load Switch - Pulse Width Modulation (PWM)
C18186785 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| TM30G03DF | Tritech-MOS | PDFN3x3-8L | 1,950 | $0.2326 $0.2448 |