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MICROCHIP JANS1N5814 product image
Abbildung ähnlich

MICROCHIP JANS1N5814

Hersteller
MICROCHIP
Herst.-Teilenr.
JANS1N5814
LCSC-Nr.
C17605656
Verp.
DO-203AA(DO-4)
Kundennummer
Hauptmerkm.
35ns 100V 950mV@20A 20A DO-203AA(DO-4) Single Diodes
DatenblattMICROCHIP JANS1N5814
Nicht vorrätig
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Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
1+$ 870.9157$ 870.92
200+$ 817.9643$ 163592.86
500+$ 790.6306$ 395315.30
1,000+$ 777.1249$ 777124.90
Standardgehäuse1/Full Bag
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes
HerstellerMICROCHIP
Verp.DO-203AA(DO-4)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Diode Configuration-
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100V
Operating Junction Temperature Range-65℃~+175℃
Pd - Power Dissipation-
Voltage - Forward(Vf@If)950mV@20A
Reverse Leakage Current (Ir)10uA@100V
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current-
Current - Rectified20A
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Merkmale

KI-Übersetzung
  • Hermetic package
  • 100% thermal shock tested on all devices
  • JAN, JANTX, JANTXV versions available per MIL-PRF-19500/478
  • Operating and storage temperature range: -65°C to +175°C
  • Thermal resistance: 1.5°C/W (junction to case)
  • Forward surge current: 400A at 8.3ms half-sine wave
  • Junction capacitance = 300pF (VR = 10V, f = 1MHz, TJ = 25°C)