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DIODES MMDT3906V-7 product image
Abbildung ähnlich

DIODES MMDT3906V-7

Hersteller
DIODES
Herst.-Teilenr.
MMDT3906V-7
LCSC-Nr.
C17600696
Verp.
SOT-563
Kundennummer
Hauptmerkm.
150mW 100 40V PNP 200mA SOT-563 Bipolar Transistor Arrays RoHS
DatenblattDIODES MMDT3906V-7
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Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
1+$ 0.1437$ 0.14
200+$ 0.0574$ 11.48
500+$ 0.0555$ 27.75
1,000+$ 0.0545$ 54.50
Standardgehäuse3000/Full Reel
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays
HerstellerDIODES
Verp.SOT-563
Current - Collector Cutoff50nA
Pd - Power Dissipation150mW
DC Current Gain100
Collector - Emitter Voltage VCEO40V
Emitter-Base Voltage VEBO5V
Transition frequency(fT)250MHz
Vce Saturation(VCE(sat))400mV
typePNP
Current - Collector(Ic)200mA
Operating Temperature-55℃~+150℃
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Merkmale

KI-Übersetzung
  • Epitaxial planar chip structure
  • Low-power amplification and switching
  • Ultra-small surface mount package
  • Lead-free / RoHS compliant
  • AEC-Q101 qualified for high reliability
  • "Green" device