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Infineon FS3L200R10W3S7FB11 product image
Abbildung ähnlich

Infineon FS3L200R10W3S7FB11

Hersteller
Infineon
Herst.-Teilenr.
FS3L200R10W3S7FB11
LCSC-Nr.
C17403364
Verp.
-
Kundennummer
Hauptmerkm.
20mW 70A 950V IGBT Module IGBT Modules RoHS
DatenblattInfineon FS3L200R10W3S7FB11
RoHS-Konformität1 Dokumente verfügbar
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Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
1+$ 346.8399$ 346.84
200+$ 138.3924$ 27678.48
496+$ 133.7673$ 66348.58
1,000+$ 131.4824$ 131482.40
Standardgehäuse8/Full Tray
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/IGBT Modules
HerstellerInfineon
Verp.-
Td(off)178ns
Pd - Power Dissipation20mW
Td(on)74ns
Current - Collector(Ic)70A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)950V
Reverse Transfer Capacitance (Cres)20pF
IGBT TypeIGBT Module
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)5.1V
Gate Charge(Qg)230nC@600V
Vce Saturation(VCE(sat))1.55V
Reverse Recovery Time(trr)-
Switching Energy(Eoff)1.05mJ
Turn-On Energy (Eon)575uJ
Operating Temperature-40℃~+150℃@(Tj)
Input Capacitance(Cies)6.48nF@25V
Output Capacitance(Coes)-
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