REASUNOS RS100N60G
| Produttore | REASUNOSAsian Brands |
| Cod. Prod. | RS100N60G |
| Cod. LCSC | C7465253 |
| Imballo | DFN5x6 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET 100V 60A DFN5x6 |
| Scheda Tecnica | REASUNOS RS100N60G |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | REASUNOS | |
| Imballo | DFN5x6 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Pd - Power Dissipation | 63W | |
| RDS(on) | 7.5mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.122nF | |
| Gate Charge(Qg) | 41.8nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | REASUNOS | |
| Imballo | DFN5x6 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 63W | |
| RDS(on) | 7.5mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.122nF | |
| Gate Charge(Qg) | 41.8nC@10V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Fast switching speed
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
Applicazioni
Traduzione AI
- Load Switch
- PWM Applications
- Power Managment
Esaurito
Avvisami
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.4418$ 0.4198 | $ 2.10 |
| 50+ | $ 0.364$ 0.3458 | $ 17.29 |
| 150+ | $ 0.3306$ 0.3141 | $ 47.12 |
| 500+ | $ 0.289$ 0.2746 | $ 137.30 |
| 2,500+ | $ 0.2705$ 0.2570 | $ 642.50 |
| 5,000+ | $ 0.2594$ 0.2465 | $ 1232.50 |
Package Standard5000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | REASUNOS | |
| Imballo | DFN5x6 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Pd - Power Dissipation | 63W | |
| RDS(on) | 7.5mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.122nF | |
| Gate Charge(Qg) | 41.8nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | REASUNOS | |
| Imballo | DFN5x6 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 63W | |
| RDS(on) | 7.5mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.122nF | |
| Gate Charge(Qg) | 41.8nC@10V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Fast switching speed
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
Applicazioni
Traduzione AI
- Load Switch
- PWM Applications
- Power Managment
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |



