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Taiwan Semiconductor TSM60NB099CZ C0G product image
Abbildung ähnlich

Taiwan Semiconductor TSM60NB099CZ C0G

Hersteller
Taiwan SemiconductorAsian Brands
Herst.-Teilenr.
TSM60NB099CZ C0G
LCSC-Nr.
C7365503
Verp.
TO-220
Kundennummer
Hauptmerkm.
600V 38A 4V 298W 99mΩ@10V 1 N-channel TO-220 Single FETs, MOSFETs RoHS
DatenblattTaiwan Semiconductor TSM60NB099CZ C0G
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Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
1+$ 10.0517$ 10.05
200+$ 4.0113$ 802.26
500+$ 3.8764$ 1938.20
1,000+$ 3.8113$ 3811.30
Standardgehäuse4000/Full Tube
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerTaiwan Semiconductor
Verp.TO-220
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage600V
Current - Continuous Drain(Id)38A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Pd - Power Dissipation298W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)20pF
RDS(on)99mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)2.587nF
Gate Charge(Qg)62nC@10V
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Merkmale

KI-Übersetzung
  • Super junction technology
  • High performance, low RDS(ON) × Qg figure of merit (FOM)
  • High durability
  • 100% tested for unclamped inductive switching (UIS) and gate resistance Rg
  • Compliant with EU RoHS Directive 2011/65/EU, following WEEE Directive 2002/96/EC
  • Halogen-free per IEC 61249-2-21

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Power Factor Correction (PFC) stage
  • Server/telecom power supplies
  • Charging stations
  • Inverters
  • Power supplies