GeneSiC Semiconductor MBR30030CTR
| Produttore | |
| Cod. Prod. | MBR30030CTR |
| Cod. LCSC | C7300512 |
| Imballo | - |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 1 Pair Common Anode 300A 30V 650mV@150A Diode Arrays RoHS |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor MBR30030CTR |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 2kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode | |
| Current - Rectified | 300A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 30V | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@30V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 650mV@150A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 2kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Rectified | 300A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 30V | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@30V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 650mV@150A |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- High surge capability
- VRRM range: 20V to 40V
- ESD insensitive
- Dual tower package
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 208.5724 | $ 208.57 |
| 200+ | $ 83.2229 | $ 16644.58 |
| 480+ | $ 80.4406 | $ 38611.49 |
| 1,000+ | $ 79.0677 | $ 79067.70 |
Package Standard40/Full Bag | ||
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 2kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode | |
| Current - Rectified | 300A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 30V | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@30V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 650mV@150A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 2kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Rectified | 300A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 30V | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@30V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 650mV@150A |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- High surge capability
- VRRM range: 20V to 40V
- ESD insensitive
- Dual tower package
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |

