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Modelli EDAEasyEDA
TI CSD85302L
| Produttore | |
| Cod. Prod. | CSD85302L |
| Cod. LCSC | C701748 |
| Imballo | PicostAr-4(1.3x1.3) |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH ARR 20V 7A PicostAr-4(1.3x1.3) |
| Scheda Tecnica | TI CSD85302L |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 1 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | TI | |
| Imballo | PicostAr-4(1.3x1.3) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 92pF | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| RDS(on) | 18.7mΩ@6.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.7W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | Common Drain | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 61pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 718pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@4.5V | |
| Vgs | ±10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | TI | |
| Imballo | PicostAr-4(1.3x1.3) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 92pF | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| RDS(on) | 18.7mΩ@6.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.7W |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | Common Drain | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 61pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 718pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@4.5V | |
| Vgs | ±10V |
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Descrizione
Traduzione AI
This 20V, 18.7mΩ dual NexFET power MOSFET in a 1.35mm×1.35mm LGA package is designed to minimize resistance in the smallest possible footprint. The device's compact size and common-drain configuration make it ideal for battery-powered applications in small handheld devices.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Common-drain configuration
- Low on-resistance
- 1.35mm×1.35mm compact package
- Lead-free and halogen-free
- RoHS compliant
- HBM ESD protection > 2.5kV
Applicazioni
Traduzione AI
- USB Type-C/PD
- Battery Management
- Battery Protection
Disponibile: 160
160 Pronta consegna
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.3291 | $ 1.65 |
| 50+ | $ 0.2661 | $ 13.31 |
| 150+ | $ 0.2354 | $ 35.31 |
| 500+ | $ 0.208 | $ 104.00 |
| 3,000+ | $ 0.2004 | $ 601.20 |
| 6,000+ | $ 0.1959 | $ 1175.40 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | TI | |
| Imballo | PicostAr-4(1.3x1.3) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 92pF | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| RDS(on) | 18.7mΩ@6.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.7W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | Common Drain | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 61pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 718pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@4.5V | |
| Vgs | ±10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Produttore | TI | |
| Imballo | PicostAr-4(1.3x1.3) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 92pF | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| RDS(on) | 18.7mΩ@6.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.7W |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | Common Drain | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 61pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 718pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@4.5V | |
| Vgs | ±10V |
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Descrizione
Traduzione AI
This 20V, 18.7mΩ dual NexFET power MOSFET in a 1.35mm×1.35mm LGA package is designed to minimize resistance in the smallest possible footprint. The device's compact size and common-drain configuration make it ideal for battery-powered applications in small handheld devices.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Common-drain configuration
- Low on-resistance
- 1.35mm×1.35mm compact package
- Lead-free and halogen-free
- RoHS compliant
- HBM ESD protection > 2.5kV
Applicazioni
Traduzione AI
- USB Type-C/PD
- Battery Management
- Battery Protection
C701748 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD85302LT | TI | PicostAr-4(1.3x1.3) | 0 | $ 0.8529 |