GeneSiC Semiconductor MBRT300200R
| Produttore | |
| Cod. Prod. | MBRT300200R |
| Cod. LCSC | C6987387 |
| Imballo | - |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 1 Pair Common Anode 300A 200V 920mV@150A Diode Arrays RoHS |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor MBRT300200R |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 2kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode | |
| Current - Rectified | 300A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 920mV@150A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@200V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 2kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Rectified | 300A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 920mV@150A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@200V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- High surge capability
- Models with repetitive peak reverse voltage (VRRM) from 150 V to 200 V
- Isolated package
- Electrically isolated substrate
- Insensitive to ESD
- Triple tower package
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 248.1613 | $ 248.16 |
| 200+ | $ 99.0179 | $ 19803.58 |
| 480+ | $ 95.71 | $ 45940.80 |
| 1,000+ | $ 94.0752 | $ 94075.20 |
Package Standard40/Full Bag | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 2kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode | |
| Current - Rectified | 300A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 920mV@150A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@200V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 2kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Rectified | 300A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 920mV@150A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@200V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- High surge capability
- Models with repetitive peak reverse voltage (VRRM) from 150 V to 200 V
- Isolated package
- Electrically isolated substrate
- Insensitive to ESD
- Triple tower package
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |

