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DIODES DMN2310UTQ-7

Hersteller
DIODES
Herst.-Teilenr.
DMN2310UTQ-7
LCSC-Nr.
C6540217
Verp.
SOT-523
Kundennummer
Hauptmerkm.
20V 950mV 290mW 240mΩ 1 N-channel SOT-523 Single FETs, MOSFETs RoHS
DatenblattDIODES DMN2310UTQ-7
Vorrätig: 78
78 Ab Lager, sofort versandfertig
Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-PreisGesamtbetrag
1+$ 0.2198$ 0.22
10+$ 0.2132$ 2.13
30+$ 0.21$ 6.30
100+$ 0.2067$ 20.67
Standardgehäuse3000/Full Reel
Besserer Preis bei größerer Menge?
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerDIODES
Verp.SOT-523
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage20V
Current - Continuous Drain(Id)-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))950mV
Pd - Power Dissipation290mW
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)6pF
RDS(on)240mΩ
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)38pF
Gate Charge(Qg)700pC@4.5V
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Beschreibung

KI-Übersetzung

This next-generation MOSFET is designed to minimize on-resistance R<sub>DS(ON)</sub> while maintaining superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Low on-resistance
  • Low input capacitance
  • Fast switching speed
  • Low input/output leakage current
  • Ultra-small surface mount package
  • ESD-protected gate
  • Fully lead-free and RoHS compliant
  • Halogen and antimony-free "Green" device

Anwendungen

KI-Übersetzung

-DC-DC Converters - Load Switches - Power Management Functions