Nexperia BC857CQC-QZ

Producent	Nexperia
Nr części prod.	BC857CQC-QZ
Nr LCSC	C6131349
Opak.	DFN1412D-3
Numer Klienta
Klucz. cechy	45V 420 100mA PNP DFN1412D-3 Single Bipolar Transistors RoHS
Karta Katalogowa	Nexperia BC857CQC-QZ
Zgodność z RoHS	1 dokumentów dostępnych

Specyfikacje Produktu

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	Nexperia
Opak.	DFN1412D-3
Current - Collector Cutoff	15nA
Transition frequency(fT)	100MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	45V
DC Current Gain	420
Pd - Power Dissipation	360mW
Current - Collector(Ic)	100mA
type	PNP
Vce Saturation(VCE(sat))	650mV

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	Nexperia
Opak.	DFN1412D-3
Current - Collector Cutoff	15nA
Transition frequency(fT)	100MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	45V

Brak w magazynie

Powiadom mnie

Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece

Dodaj do Listy BOM

Szt.	Cena jedn.(Tylko do wglądu)	Suma całkowita
1+	$ 0.0685	$ 0.07
200+	$ 0.0274	$ 5.48
500+	$ 0.0265	$ 13.25
1,000+	$ 0.026	$ 26.00
Standardowa Obudowa5000/Full Reel

Lepsza cena za większą ilość?

$

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	Nexperia
Opak.	DFN1412D-3
Current - Collector Cutoff	15nA
Transition frequency(fT)	100MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	45V
DC Current Gain	420
Pd - Power Dissipation	360mW
Current - Collector(Ic)	100mA
type	PNP
Vce Saturation(VCE(sat))	650mV

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	Nexperia
Opak.	DFN1412D-3
Current - Collector Cutoff	15nA
Transition frequency(fT)	100MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	45V