LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
Koszyk
MICROCHIP 2N3507AU4 product image
Zdjęcia poglądowe

MICROCHIP 2N3507AU4

Producent
MICROCHIP
Nr części prod.
2N3507AU4
Nr LCSC
C5887464
Opak.
SMD-3P
Numer Klienta
Klucz. cechy
50V 30 3A NPN SMD-3P Single Bipolar Transistors
Karta KatalogowaMICROCHIP 2N3507AU4
Brak w magazynie
Powiadom mnie
Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
Szt.Cena jedn.(Tylko do wglądu)Suma całkowita
1+$ 156.8379$ 156.84
200+$ 62.5803$ 12516.06
500+$ 60.4892$ 30244.60
1,000+$ 59.4558$ 59455.80
Standardowa Obudowa5000/Full Reel
Lepsza cena za większą ilość?
$

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
ProducentMICROCHIP
Opak.SMD-3P
Current - Collector Cutoff1uA
Operating Temperature-65℃~+200℃
Collector - Emitter Voltage VCEO50V
DC Current Gain30
Pd - Power Dissipation1W
Current - Collector(Ic)3A
typeNPN
Vce Saturation(VCE(sat))1.5V
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Opis

Tłumaczenie AI

This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage. The U4 package is hermetically sealed and provides a low profile for minimizing board height. The 'A' version maintains it's forward current transfer ratio, $h_{FE}$ , at low temperature at higher collector-emitter voltage. These devices also available in TO-5 and TO-39 packages.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • JEDEC-registered 2N3506U4 through 2N3507U4 series.
  • RoHS-compliant versions available (commercial grade only).
  • V_{ce(sat)} = 0.5 V at I_C = 500 mA.
  • Rise time t_r max 30 ns at I_C = 1.5 A, I_{B1} = 150 mA.
  • Fall time t_f max 35 ns at I_C = 1.5 A, I_{B1} = I_{B2} = 150 mA.

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • General purpose transistors for medium power applications requiring high frequency switching and low package profile.