ROHM DTDG14GPT100
| Produttore | |
| Cod. Prod. | DTDG14GPT100 |
| Cod. LCSC | C509303 |
| Imballo | TO-243AA |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | TRANS PREBIAS NPN 60V TO-243AA |
| Scheda Tecnica | ROHM DTDG14GPT100 |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors | |
| Produttore | ROHM | |
| Imballo | TO-243AA | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Transition frequency(fT) | 80MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 60V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 400mV | |
| Current - Collector(Ic) | 1A | |
| Output Voltage(VO(on)) | - | |
| Input Resistor | 13kΩ | |
| Resistor Ratio | - | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Voltage - Input(Max)(VI(off)) | - | |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | - | |
| Operating temperature | -55℃~+150℃ | |
| type | NPN | |
| Number | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors | |
| Produttore | ROHM | |
| Imballo | TO-243AA | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Transition frequency(fT) | 80MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 60V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 400mV | |
| Current - Collector(Ic) | 1A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Output Voltage(VO(on)) | - | |
| Input Resistor | 13kΩ | |
| Resistor Ratio | - | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Voltage - Input(Max)(VI(off)) | - | |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | - | |
| Operating temperature | -55℃~+150℃ | |
| type | NPN | |
| Number | 1 NPN (Pre-Biased) |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- High hFE. 300(Min.) (VCE/lC = 2V/0.5A)
- Low saturation voltage. (VCE(sat) = 400mV at lC/lB = 500mA/5mA)
- Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L-load (an inductive load).
Applicazioni
Traduzione AI
- DRIVER
Disponibile: 1,025
1,025 Pronta consegna
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.2529 | $ 1.26 |
| 50+ | $ 0.1993 | $ 9.97 |
| 150+ | $ 0.1763 | $ 26.45 |
| 1,000+ | $ 0.1267 | $ 126.70 |
| 2,000+ | $ 0.114 | $ 228.00 |
| 5,000+ | $ 0.1063 | $ 531.50 |
Package Standard1000/Full Reel | ||
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors | |
| Produttore | ROHM | |
| Imballo | TO-243AA | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Transition frequency(fT) | 80MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 60V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 400mV | |
| Current - Collector(Ic) | 1A | |
| Output Voltage(VO(on)) | - | |
| Input Resistor | 13kΩ | |
| Resistor Ratio | - | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Voltage - Input(Max)(VI(off)) | - | |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | - | |
| Operating temperature | -55℃~+150℃ | |
| type | NPN | |
| Number | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors | |
| Produttore | ROHM | |
| Imballo | TO-243AA | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Transition frequency(fT) | 80MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 60V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 400mV | |
| Current - Collector(Ic) | 1A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Output Voltage(VO(on)) | - | |
| Input Resistor | 13kΩ | |
| Resistor Ratio | - | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Voltage - Input(Max)(VI(off)) | - | |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | - | |
| Operating temperature | -55℃~+150℃ | |
| type | NPN | |
| Number | 1 NPN (Pre-Biased) |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- High hFE. 300(Min.) (VCE/lC = 2V/0.5A)
- Low saturation voltage. (VCE(sat) = 400mV at lC/lB = 500mA/5mA)
- Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L-load (an inductive load).
Applicazioni
Traduzione AI
- DRIVER
C509303 Libreria EasyEDA
Non ancora disegnato
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541600000 |
| USHTS | 8541600080 |
| TARIC | 8541600000 |
| CAHTS | 8541600010 |
| BRHTS | 85416010 |
| INHTS | 85416000 |
| MXHTS | 8541.60.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541600000 |
| USHTS | 8541600080 |
| TARIC | 8541600000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541600010 |
| BRHTS | 85416010 |
| INHTS | 85416000 |
| MXHTS | 8541.60.01 |
