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ROHM DTDG14GPT100

Produttore
Cod. Prod.
DTDG14GPT100
Cod. LCSC
C509303
Imballo
TO-243AA
Numero Cliente
Attr. chiave
TRANS PREBIAS NPN 60V TO-243AA
Scheda TecnicaROHM DTDG14GPT100
Conformità RoHS2 documenti disponibili
Disponibile: 1,025
1,025 Pronta consegna
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.Importo totale
5+$ 0.2529$ 1.26
50+$ 0.1993$ 9.97
150+$ 0.1763$ 26.45
1,000+$ 0.1267$ 126.70
2,000+$ 0.114$ 228.00
5,000+$ 0.1063$ 531.50
Package Standard1000/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
ProduttoreROHM
ImballoTO-243AA
Current - Collector Cutoff500nA
Transition frequency(fT)80MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO60V
Emitter-Base Voltage VEBO5V
DC Current Gain300
Vce Saturation(VCE(sat))400mV
Current - Collector(Ic)1A
Output Voltage(VO(on))-
Input Resistor13kΩ
Resistor Ratio-
Pd - Power Dissipation2W
Voltage - Input(Max)(VI(off))-
Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce)-
Operating temperature-55℃~+150℃
typeNPN
Number1 NPN (Pre-Biased)

Caratteristiche

Traduzione AI
  • High hFE. 300(Min.) (VCE/lC = 2V/0.5A)
  • Low saturation voltage. (VCE(sat) = 400mV at lC/lB = 500mA/5mA)
  • Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L-load (an inductive load).

Applicazioni

Traduzione AI
  • DRIVER