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onsemi FMBA14 product image
Immagini a scopo illustrativo

onsemi FMBA14

Produttore
onsemi
Cod. Prod.
FMBA14
Cod. LCSC
C463477
Imballo
TSOT-23-6
Numero Cliente
Attr. chiave
700mW 30V NPN 1.2A TSOT-23-6 Bipolar Transistor Arrays RoHS
Scheda Tecnicaonsemi FMBA14
Conformità RoHS3 documenti disponibili
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 0.3249$ 0.32
200+$ 0.1258$ 25.16
500+$ 0.1213$ 60.65
1,000+$ 0.1192$ 119.20
Package Standard3000/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays
Produttoreonsemi
ImballoTSOT-23-6
Current - Collector Cutoff100nA
Vbe Saturation(VBE(sat))-
Vbe On(VBE(on))2V
Pd - Power Dissipation700mW
Collector - Emitter Voltage VCEO30V
DC Current Gain10000;20000
Emitter-Base Voltage VEBO10V
Transition frequency(fT)-
Vce Saturation(VCE(sat))1.5V
typeNPN
Current - Collector(Ic)1.2A
Operating Temperature-55℃~+150℃
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Descrizione

Traduzione AI

This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents up to 1.0 A. Manufactured using the 05 process.