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Abbildung ähnlich

MICROCHIP MSC050SDA120B

Hersteller
Herst.-Teilenr.
MSC050SDA120B
LCSC-Nr.
C3758580
Verp.
TO-247
Kundennummer
Hauptmerkm.
Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
DatenblattMICROCHIP MSC050SDA120B
RoHS-Konformität1 Dokumente verfügbar
Alternativteile3
Vorrätig: 3
3 Ab Lager, sofort versandfertig
Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-PreisGesamtbetrag
1+$ 21.8018$ 21.80
Standardgehäuse30/Full Tube
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes
HerstellerMICROCHIP
Verp.TO-247
Diode Configuration1 Independent
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1.2kV
Voltage - Forward(Vf@If)1.8V@50A
Reverse Leakage Current (Ir)200uA@1200V
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current290A
Current - Rectified109A

Beschreibung

KI-Übersetzung

The silicon carbide (SiC) power Schottky barrier diodes (SBD) product line increases your performance over silicon diode solutions while lowering your total cost of ownership for high-voltage applications. The MSC50SDA120B is a 1200 V, 50 A SiC SBD in a two-lead TO-247 package.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Low forward voltage
  • Low leakage current
  • No reverse recovery current/no forward recovery
  • Avalanche energy rated
  • RoHS compliant

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • H/EV powertrain and EV charger
  • Power supply and distribution
  • PV inverter, converter, and industrial motor drives
  • Smart grid transmission and distribution

Alternativteile

MPNHerstellerVerpackungVerfügbarkeitStückpreis
MSC050SDA170BMICROCHIPTO-247-33$ 61.1754
YJD112030NGG2YANGJIETO-247AC27$ 5.8492
YJD112040NQG2YANGJIETO-247AC220$ 5.8189